О внесении изменений в приложение 1 к Порядку осуществления государственного контроля за международными передачами товаров двойного использования

Номер позиції 

Найменування та опис товарів за відповідними групами 

Код товару згідно з УКТЗЕД 

Загальні примітки. 

1. Термін "товари подвійного використання" у цьому Списку вживається у значенні, наведеному у статті 1 Закону України "Про державний контроль за міжнародними передачами товарів військового призначення та подвійного використання".
Терміни, що використовуються у цьому Списку в лапках, мають значення, наведені у пункті 1 розділу "Загальні примітки", розміщеного наприкінці цього Списку. 
2. Коди товарів згідно з УКТЗЕД наводяться у цьому Списку довідково. Основною ознакою для прийняття рішення є відповідність заявленого до митного оформлення товару найменуванню та опису відповідного товару, наведеного в цьому Списку. 
3. У позиції 1.A.1 та далі за текстом у графі "номер позиції" у квадратних дужках наводяться коди товарів згідно із системою їх класифікації державами - учасницями Європейського Союзу. 
4. У деяких випадках для зручності в ідентифікації хімічних сполук у цьому Списку зазначаються найменування хімічної сполуки та її реєстраційний номер Хімічної реферативної служби (CAS-номери, Chemical Abstracts Service). Хімічні сполуки, які мають однакову структурну формулу (включаючи гідрати), підлягають контролю незалежно від найменування та CAS-номеру. CAS-номери не можуть бути використані як однозначні ідентифікатори, оскільки деякі форми хімічних сполук, наведені в цьому Списку, мають різні CAS-номери, суміші, до складу яких входить хімічна сполука, також можуть мати різні CAS-номери. 

Особливі примітки. 

1. "Технологія", що підлягає контролю, визначена в кожному розділі.
Експорт "технології", "необхідної" для "розроблення", "виробництва" або "використання" виробів, зазначених у цьому Списку, контролюється відповідно до умов, згаданих у кожному розділі. Ця "технологія" підлягає контролю навіть у разі, коли вона використовується для розроблення будь-якого виробу, не внесеного до цього Списку.
Дозвіл на експорт виробу, зазначеного в цьому Списку, також надає дозвіл на експорт тому самому кінцевому споживачеві мінімуму "технології", необхідного для установлення, експлуатації, технічного обслуговування (перевірки) та ремонту виробу. Кількість та обсяги такого мінімуму обмежуються інформацією, наведеною у технічній документації (паспорті, формулярі тощо), яка спеціально розроблена для кінцевого споживача та постачається з виробом.
Контроль не застосовується до "технологій", що є "загальнодоступними", "фундаментальних наукових досліджень" або мінімальної інформації, необхідної для подання заявки на патент. 

2. За цим Списком контролю не підлягає "програмне забезпечення", загальнодоступне громадськості шляхом:
a) продажу без обмежень у пунктах роздрібної торгівлі, призначене для:
1) торговельних операцій у роздріб;
2) торговельних операцій за поштовим замовленням; або
3) торговельних операцій за замовленням по телефону; та
b) розроблене для інсталяції користувачем без подальшої допомоги з боку постачальника або є "загальнодоступним". 

3. Міжнародні передачі "послуг та робіт", пов'язаних з "розробкою", "виробництвом", "використанням", складанням, випробуванням, "модифікацією" та модернізацією виробів, обладнання, матеріалів, "програмного забезпечення" і "технологій", підлягають експортному контролю у тому самому обсязі, що і міжнародні передачі виробів, обладнання, матеріалів, "програмного забезпечення" і "технологій", зазначених у цьому Списку. 

1. 

СПЕЦІАЛЬНІ МАТЕРІАЛИ ТА ПОВ'ЯЗАНЕ З НИМИ ОБЛАДНАННЯ 

1.A. 

СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ 

1.A.1.
[1A001] 

Компоненти, вироблені із сполук, що містять фтор: 

a) ущільнення, прокладки, ущільнювальні матеріали або еластичні паливні баки, спеціально призначені для "літальних апаратів" чи для використання в аерокосмічній техніці та виготовлені більш як на 50 вагових відсотків з матеріалу, зазначеного в позиціях 1.C.9.b або 1.C.9.c; 

3923 30 90 00
3925 10 00 00
3926 90 10 00
3926 90 99 90 

b) п'єзоелектричні полімери та сополімери, вироблені з матеріалів на основі вініліденфториду, зазначених у позиції 1.C.9.a: 

3920 99 51 00
3921 90 60 00
3921 90 90 00 

1) у формі плівки або листа; та 

2) завтовшки понад 200 мкм; 

c) ущільнення, прокладки, гнізда клапанів, еластичні паливні баки або діафрагми, які: 

3919 90 90 00
3923 30 90 00
3925 10 00 00
3926 90 10 00
3926 90 99 90 

1) виготовлені із фтороластомірів, які містять щонайменше одну вінілефірну групу як складову ланку; та 

2) спеціально призначені для "літальних апаратів" чи для використання в аерокосмічній або ракетній техніці. 

1.A.2.
[1A002] 

"Композиційні матеріали" або ламінати (шаруваті матеріали), які містять будь-що з наведеного нижче: 

a) органічну "матрицю" і вироблені з матеріалів, що підлягають контролю згідно з позиціями 1.C.10.c, 1.C.10.d чи 1.C.10.e; або 

з 3921
3926 90 10 00
3926 90 99 90 

b) металеву або вуглецеву "матрицю" і виготовлені з: 

1) вуглецевих "волокнистих або ниткоподібних матеріалів" з: 

з 3801
з 6815 

a) питомим модулем пружності понад 10,15 х 10⁶ м; та 

з 6815 

b) питомою межею міцності при розтягу понад 17,7 х 10⁴ м; або 

з 6815 

2) матеріалів, що підлягають контролю за позицією 1.C.10.c. 

8101 92 00 00
8108 90 30 00
8108 90 70 00 

Примітка 1. 

Згідно з позицією 1.A.2 контролю не підлягають композиційні структури або шаруваті матеріали, виготовлені з епоксидної смоли, імпрегнованої "волокнистими чи ниткоподібними матеріалами" для ремонту авіаційних конструкцій, або шаруваті матеріали, у разі, коли їх розмір не перевищує 100 х 100 см. 

Примітка 2. 

Згідно з позицією 1.A.2 контролю не підлягають закінчені вироби або напівфабрикати, спеціально призначені тільки для наведеного нижче цивільного використання:
a) у спортивних товарах;
b) в автомобільній промисловості;
c) у верстатобудівній промисловості;
d) у медичних цілях. 

Примітка 3. 

Згідно з позицією 1.A.2.b.1 контролю не підлягають закінчені вироби або напівфабрикати, що містять сплетення ниток максимум у двох вимірах та спеціально призначені для використання у:
a) термічних печах для відпуску металів;
b) обладненні для виробництва монокристалів кремнію. 

1.A.3.
[1A003] 

Вироби з ароматичних поліамідів, що не належать до "плавких" у формі плівки, листа, стрічки або смужки, які мають будь-яку з наведених нижче характеристик: 

з 3919
з 3920
з 3921 

a) завтовшки понад 0,254 мм; або 

b) покриті чи ламіновані вуглецем, графітом, металами або магнітними речовинами. 

з 3921 

Примітка. 

Згідно з позицією 1.A.3 контролю не підлягають вироби, покриті або ламіновані міддю і призначені для виробництва електронних друкованих плат. 

Особлива примітка. 

Щодо "плавких" ароматичних поліамідів в будь-якій формі дивись підпозицію 1.C.8.a.3. 

1.A.4.
[1A004] 

Обладнання для забезпечення захисту і виявлення та їх частини, наведені нижче, спеціально не призначені для військового використання: 

a) протигази, газові маски, коробки протигазів з фільтрами та обладнання для знезараження, призначені або модифіковані для захисту від будь-чого з наведеного нижче, та спеціально призначені компоненти для них: 

9020 00 90 00
9033 00 00 00 

1) біологічних агентів, "пристосованих для військового використання"; 

2) радіоактивних матеріалів, "пристосованих для військового використання"; 

3) бойових хімічних агентів; або 

4) "хімічних засобів боротьби із масовими заворушеннями", включаючи: 

a) a-бромбензинацетонітрил, (бромбензил ціанід) (CA) (CAS 5798-79-8); 

b) [(2-хлорофенілу) метилену] пропанедінітрил, (о-хлоробензиліденемалононітрилу) (CS) (CAS 2698-41-1); 

c) 2-хлоро-1-фенілетанон, фенілацил хлорид (v-хлороацетофенону) (CN) (CAS 532-27-4); 

d) дібенз-(b,f)-1,4-оксацефін, (CR) (CAS 257-07-8); 

e) 10-хлоро-5,10-діхідрофенарсазин, (фенарсацин хлориду), (Адамзиту), (DM) (CAS 578-94-9); 

f) N-нонаноілморфолін, (MPA) (CAS 5299-64-9); 

b) захисні костюми, рукавиці та взуття, спеціально призначені або модифіковані для захисту від будь-чого з наведено нижче: 

6210 20 00 00
6210 30 00 00
з 6405 90 

1) біологічних агентів, "пристосованих для військового використання"; 

2) радіоактивних матеріалів, "пристосованих для військового використання"; або 

3) бойових хімічних агентів; 

c) Ядерні, біологічні та хімічні системи виявлення та їх частини, спеціально призначені або модифіковані для виявлення або ідентифікації будь-чого з наведеного нижче, а також спеціально призначені для них компоненти: 

з 9027
9030 10 90 00
9033 00 00 00
9027 10 10 00
9027 10 90 00
9027 90 80 00 

1) біологічних агентів, "пристосованих для військового використання"; 

2) радіоактивних матеріалів, "пристосованих для військового використання"; або 

3) бойових хімічних агентів; 

d) електронне обладнання, призначене для автоматичного виявлення або ідентифікації наявності залишків "вибухових речовин" з використанням методів "виявлення слідів" (наприклад, поверхневої акустичної хвилі, спектрометрії рухливості іонів, спектрометрії на основі розподілу рухливості, масова спектрометрія). 

Технічна примітка. 

"Виявлення слідів" - здатність виявити менш ніж одну частину на мільйон пари, або 1 мг твердої або рідкої речовини. 

Примітка 1. 

Згідно з позицією 1.A.4.d контролю не підлягає обладнання, спеціально призначене для лабораторного використання. 

Примітка 2. 

Згідно з позицією 1.A.4.d контролю не підлягають стаціонарні безконтактні пропускні арочні пристрої безпеки. 

Примітка 3. 

Згідно з позицією 1.A.4 контролю не підлягають:
a) персональні радіаційні моніторингові дозиметри;
b) обладнання, яке за конструкцією або функціями призначене тільки для захисту від небезпечних та шкідливих факторів, типових для безпеки мешканців та житла, а також для цивільних галузей промисловості, таких як гірнича промисловість, відкрита розробка родовищ, сільське господарство, фармацевтика, медицина, ветеринарія, охорона довкілля, переробка відходів або харчова промисловість; 

Технічні примітки. 

1. Згідно з позицією 1.A.4 контролю підлягає обладнання і компоненти, які були ідентифіковані, успішно протестовані згідно з національними стандартами або ефективність яких підтверджена іншим чином, для виявлення або захисту від радіоактивних матеріалів, "пристосованих для військового використання", біологічних агентів, "пристосованих для військового використання", бойових хімічних речовин, "імітаційних продуктів" або "хімічних засобів боротьби із масовими заворушеннями", навіть якщо таке обладнання або компоненти використовуються в галузях цивільної промисловості, зокрема для гірничої справи, робіт в кар'єрах, сільськогосподарської, фармацевтичної, медичної, ветеринарної діяльності, харчової промисловості, а також для робіт, пов'язаних із захистом навколишнього природного середовища та переробкою відходів або для харчової промисловості;
2. "Імітаційний продукт" - речовина або матеріал, який використовується замість токсичних агентів (хімічних або біологічних) для навчання, дослідження, тестування або аналізу. 

1.A.5.
[1A005] 

Бронежилети і спеціально призначені для них "компоненти", виготовлені не за військовими стандартами або специфікаціями і не рівноцінні їм у виконанні. 

6204 29 90 00 

Особлива примітка. 

Щодо контролю за "волокнистими або ниткоподібними матеріалами", що використовуються у виробництві бронежилетів, див. позицію 1.C.10. 

Примітки. 

1. Згідно з позицією 1.A.5 контролю не підлягають бронежилети або захисний одяг, якщо вони перебувають у своїх користувачів з метою їх власного захисту.
2. Згідно з позицією 1.A.5 контролю не підлягають бронежилети, призначені тільки для забезпечення фронтального захисту як від уламків, так і від вибуху невійськових вибухових пристроїв. 

1.A.6.
[1A006] 

Обладнання, спеціально призначене або модифіковане для знищення саморобних вибухових пристроїв, та спеціально призначені компоненти і пристосування для нього: 

a) транспортні засоби з дистанційним керуванням; 

b) руйнівники (підривачі). 

Технічна примітка. 

Руйнівники - пристрої, спеціально призначенні для запобігання спрацюванню вибухового пристрою за допомогою дії рідини, твердої речовини або крихкого снаряду. 

Особлива примітка. 

Щодо обладнання, спеціально призначеного для військового використання, знищення саморобних вибухових пристроїв, дивись позицію ML4 Списку товарів військового призначення, міжнародні передачі яких підлягають державному контролю, наведеного у додатку до Порядку здійснення державного контролю за міжнародними передачами товарів військового призначення, затвердженого постановою Кабінету Міністрів України від 20 листопада 2003 р. N 1807. 

Примітка. 

Згідно з позицією 1.A.6 контролю не підлягає обладнання, що супроводжується (слідує разом) його оператором. 

1.A.7.*, **
[1A007] 

Обладнання та пристрої, спеціально призначені для ініціювання зарядів і пристроїв, що містять енергетичні матеріали, за допомогою електричних засобів, наведених нижче: 

a) блоків підриву детонаторів вибухових пристроїв, призначених для приведення в дію детонаторів вибухових пристроїв, що підлягають контролю згідно з позицією 1.A.7.b; 

b) електродетонатори вибухових пристроїв: 

1) детонатори з містком, що вибухає (іскрові детонатори); 

2) детонатори з дротовою перемичкою, що вибухає (струмові детонатори); 

3) детонатори з ударником (детонатори ударної дії); 

4) ініціатори з фольгою, що вибухає. 

____________
* Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за дозволом (висновком) Держекспортконтролю.

** Товар, для отримання дозволу (висновку) на імпорт (тимчасове ввезення) якого імпортером разом із заявою до Держекспортконтролю подається позитивний висновок Мінпромполітики або НКАУ, якщо імпортером є підприємство, яке належить до сфери управління Агентства. 

Технічна примітка. 

1. Іноді слова "ініціатор" або "запалювач" використовуються замість слова "детонатор";
2. Для цілей позиції 1.A.7.b. усі детонатори, про які йде мова, використовують невеликий електричний провідник (місток, дротову перемичку або фольгу), який вибухоподібно випаровується, під час пропуску через нього короткого сильнострумового електричного імпульсу. У детонаторах безударної дії провідник, що вибухає, починає хімічну детонацію в контакті з бризантною вибуховою речовиною, такою як ПЕТН (пентаеритриттетранітрат). У детонаторах ударної дії вибухоподібне випаровування електричного провідника переміщає через зазор бійчик або ударник, який ударяє по вибуховій речовині і викликає хімічну детонацію. У деяких конструкціях ударник приводиться в дію магнітною силою. Термін "детонатор з фольгою, що вибухає" може означати або детонатор з містком, що вибухає, або детонатор ударного типу. Термін "ініціатор з фольгою, що вибухає" може відноситись як до детонаторів з містком, що вибухає, так і до детонаторів ударної дії. 

Особлива примітка. 

Щодо обладнання та пристроїв, спеціально призначених для військового використання, дивись Список товарів військового призначення, міжнародні передачі яких підлягають державному контролю, наведений у додатку до Порядку здійснення державного контролю за міжнародними передачами товарів військового призначення, затвердженого постановою Кабінету Міністрів України від 20 листопада 2003 р. N 1807. 

1.A.8.*, ** 

Заряди, пристрої та компоненти: 

____________
* Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за дозволом (висновком) Держекспортконтролю.

** Товар, для отримання дозволу (висновку) на імпорт (тимчасове ввезення) якого імпортером разом із заявою до Держекспортконтролю подається позитивний висновок Мінпромполітики або НКАУ, якщо імпортером є підприємство, яке належить до сфери управління Агентства. 

a) кумулятивні заряди, у яких: 

1) чиста маса вибухової речовини (NEQ) понад 90 г; та 

2) діаметр зовнішньої оболонки дорівнює або більше ніж 75 мм; 

b) лінійні підривні заряди для перебиття елементів конструкцій, які мають усі наведені нижче характеристики, і спеціально призначені для них компоненти: 

1) вміст "вибухової речовини" більш ніж 40 г/м; та 

2) завширшки 10 мм або більше; 

c) детонуючий шнур з вмістом "вибухової речовини" більше ніж 64 г/м; 

d) підрівні заряди для перебиття елементів конструкції, крім тих, що зазначені в позиції 1.A.8.b, та розрізувальні інструменти, що мають чисту масу вибухової речовини (NEQ) більше ніж 3,5 кг. 

Примітка. 

До зарядів або пристроїв, зазначених у позиції 1.A.8, належать тільки ті, що містять "вибухові речовини" та їх суміші, зазначені в додатку до Розділу 1. 

Технічна примітка. 

"Кумулятивні заряди" - вибухові заряди, що мають таку форму, яка спрямовує силу вибуху. 

1.A.9. 

Зарезервовано. 

1.A.10. 

Зарезервовано. 

1.A.11. 

Зарезервовано. 

1.A.12. 

Зарезервовано. 

1.A.13. 

Зарезервовано. 

1.A.14. 

Зарезервовано. 

1.A.15.*, ** 

Спеціальні засоби та вироби, які за своїми властивостями можуть бути використані у терористичних цілях: 

____________
* Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за дозволом (висновком) Держекспортконтролю.

** Товар, для отримання дозволу (висновку) на імпорт (тимчасове ввезення) якого імпортером разом із заявою до Держекспортконтролю подається позитивний висновок Мінпромполітики або НКАУ, якщо імпортером є підприємство, яке належить до сфери управління Агентства. 

a) піротехнічні вироби у зборі. 

3604 90 00 00 

Примітка. 

Згідно з позицією 1.A.15.a контролю не підлягають:
a) піротехнічні вироби (візуальні сигнальні засоби), які в обов'язковому порядку повинні розташовуватись на морському судні відповідно до пункту 3 правила 6 розділу I глави III, правила 18 розділу I частини В глави III Конвенції з охорони людського життя на морі 1974 року - із змінами і доповненнями (International Convention for the Safety of the Life at Sea, 1974 as amended), глави III, пункту 4.4.8 глави IV, пункту 7.1 глави VII Міжнародного кодексу по рятувальним засобам 1996 року (International Life-saving Appliance Code 1996) та частини D Міжнародної Конвенції про Міжнародні правила запобігання зіткненню суден на морі 1972 року - із змінами і доповненнями (Convention on the International Regulations for Preventing Collisions at Sea, 1972 (COLREGs) as amended);
b) піротехнічні вироби побутового призначення (I, II, III класів небезпеки згідно з ДСТУ 4105-2002), загальнодоступні для громадськості шляхом продажу без обмежень у пунктах роздрібної торгівлі. 

1.B. 

ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА  

1.B.1.
[1B001] 

Обладнання для виробництва волокон, препрегів, преформ, "композиційних" матеріалів чи виробів, що підлягають контролю згідно з позиціями 1.A.2 або 1.C.10, і спеціально призначені "компоненти" до нього та допоміжні пристрої:  

a) машини для намотування волокон, у яких переміщення, пов'язані з позиціюванням, обволіканням і намотуванням волокон, координуються та програмуються за трьома або більше осями, спеціально призначені для виробництва "композиційних матеріалів" або ламінатів з "волокнистих або ниткоподібних матеріалів"; 

8446 30 00 00
з 8448 

b) машини для укладання стрічки або троса, в яких переміщення, пов'язані з позиціюванням і укладанням стрічки, тросів або листів, координуються та програмуються за двома або більше осями, спеціально призначені для виробництва елементів корпусів бойових ракет або каркаса літаків з "композиційних матеріалів"; 

8446 30 00 00
з 8448 

c) ткацькі машини або машини для плетіння, що діють у різних вимірах і напрямках, включаючи адаптери та пристрої для зміни функцій машин, призначених для ткацтва або переплетення волокон з метою виготовлення "композиційних матеріалів". 

8446 21 00 00
з 8448 

Примітка. 

Згідно з позицією 1.B.1.c контролю не підлягають текстильні машини, не модифіковані для зазначеного кінцевого використання. 

Технічна примітка. 

Зазначена в позиції 1.B.1.c техніка плетіння включає в'язання. 

d) обладнання, спеціально призначене або пристосоване для виробництва зміцнених волокон:  

1) обладнання для перетворення полімерних волокон (таких, як поліакрилонітрил, віскоза, пек або полікарбоксилан) у вуглецеві або карбідокремнієві волокна, включаючи спеціальне обладнання для розтягу волокон у процесі нагрівання; 

з 8456, 8466,
8515 80 91 00
8515 80 99 00
8515 90 00 00 

2) обладнання для осадження парів хімічних елементів або складних речовин на нагріту ниткоподібну підкладку з метою виробництва карбідокремнієвих волокон;  

8417 80 20 00
з 8417 90 00
8417 80 80 00 

3) обладнання для виробництва термостійкої кераміки методом вологого намотування (такої, як оксид алюмінію); 

8445 90 00 00
 

4) обладнання для перетворення шляхом термооброблення волокон алюмініємістких прекурсорів у волокна, які містять глинозем; 

з 8451 80,
8451 90 00 00 

e) обладнання для виробництва препрегів методом гарячого плавлення, які підлягають контролю, згідно з позицією 1.C.10.e; 

з 8451,
з 8477 59 

f) обладнання для неруйнівного контролю, спеціально призначене для "композиційних матеріалів": 

9022 12 00 00
9022 13 00 00
9022 14 00 00
9022 19 00 00
9022 29 00 00
9022 90 90 00
9031 80 39 10
9031 80 99 00
9031 90 90 90 

1) системи рентгенівської томографії для виявлення дефектів у трьох вимірах; 

2) ультразвукові випробувальні машини з числовим програмним керуванням, в яких рух для позиціювання передатчиків або приймачів одночасно координується та програмується за чотирма або більше осями, з метою забезпечення слідування вздовж тривимірних контурів компонента, за яким здійснюється контроль. 

1.B.2.
[1B002] 

Обладнання для виробництва металевих сплавів, порошкоподібних металевих сплавів або матеріалів на основі сплавів, спеціально призначене для уникнення забруднення та для використання в одному з процесів, включених до позиції 1.C.2.c.2.  

1.B.3.
[1B003] 

Робочі інструменти, прес-форми, форми або пристрої для "надпластичного формування" чи "дифузійного зварювання" титану або алюмінію чи їх сплавів, спеціально призначені для виробництва: 

8207 30 10 10
8207 30 10 90 

a) каркасів літаків або аерокосмічних конструкцій; 

b) двигунів "літальних апаратів" чи аерокосмічних апаратів; або 

c) "компонентів", спеціально призначених для конструкцій, зазначених у позиції 1.B.3.a, або двигунів, зазначених у позиції 1.B.3.b. 

1.B.4.*, ** 

Обладнання, спеціально призначене для виробництва товарів, що підлягають контролю згідно з позиціями 1.A.7, 1.A.8 та 1.A.15, а також промислових вибухових речовин та їх компонентів, зазначених у позиції 1.C.13.a. 

з 7309, 00, 7310, 8419, 8462, 8464, 8465, 8474, 8477  

____________
* Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за дозволом (висновком) Держекспортконтролю.

** Товар, для отримання дозволу (висновку) на імпорт (тимчасове ввезення) якого імпортером разом із заявою до Держекспортконтролю подається позитивний висновок Мінпромполітики або НКАУ, якщо імпортером є підприємство, яке належить до сфери управління Агентства. 

Примітка. 

Компоненти промислової вибухової речовини - хімічні сполуки, їх суміші, які входять до складу рецептури промислової вибухової речовини, а також хімічні сполуки, їх суміші, з яких утворюється промислова вибухова речовина на останньому етапі виготовлення (синтезу), в тому числі безпосередньо перед її використанням. 

1.C. 

МАТЕРІАЛИ 

Технічна примітка. 

Метали і сплави включають необроблені та напівфабрикатні форми.
Необроблені форми:
аноди, кулі, стрічки (включаючи рублені та дротяні смуги), металеві заготовки, блоки, сталеві болванки, брикети, бруски, катоди, кристали, куби, стакани, зерна, гранули, зливки, брили, котуни, чушки, порошок, кільця, дріб, сляби, шматки металу неправильної форми, губки, прутки;
напівфабрикатні форми (незалежно від того, облицьовані, анодовані, просвердлені або перфоровані вони, чи ні):
a) ковані форми або оброблені матеріали, виготовлені шляхом прокату, волочіння, гарячого штампування, кування, імпульсного штампування, пресування, дроблення, розпилення та розмелювання, а саме: кутики, швелери, кільця, диски, пил, пластівці, фольга та листи, поковки, плити, порошок, вироби, оброблені пресуванням або штампуванням, стрічки, фланці, прути (включаючи зварні брускові прутки, дротяні прути та прокатаний дріт), профілі, форми, листи, смужки, труби і трубки (включаючи трубні кільця, трубні прямокутники та пустотілі трубки), витягнений або екструдований дріт;
b) ливарний матеріал, виготовлений шляхом лиття в піщано-глинисті форми, кокіль, металеві, пластикові або інші види прес-форм, включаючи лиття під високим тиском, оболонкові форми та форми, виготовлені методом порошкової металургії. 

Примітка. 

Мета контролю не повинна порушуватися під час експорту форм як закінчених виробів, не зазначених у цьому Списку, але які фактично є необробленими або напівфабрикатними формами, що підлягають контролю.  

1.C.1.
[1C001]  

Матеріали, спеціально призначені для поглинання електромагнітних хвиль, або полімери з власною електропровідністю: 

a) матеріали для поглинання хвиль на частотах понад 2 х 10⁸ Гц, але менш як 3 х 10¹² Гц; 

з 3910 00 00
з 3920
з 3921  

Примітка 1. 

Згідно з позицією 1.C.1.a контролю не підлягають:
a) абсорбери волосяного типу, виготовлені з натуральних або синтетичних волокон, з немагнітним наповненням для абсорбції;
b) абсорбери, що не мають магнітних втрат, робоча поверхня яких не є плоскою, включаючи піраміди, конуси, клини та спіралеподібні поверхні;
c) плоскі абсорбери, які мають усі наведені нижче характеристики:
1) виготовлені з будь-якого наведеного нижче матеріалу:
a) пінопластичних матеріалів (гнучких або негнучких) з вуглецевим наповненням або органічних матеріалів, включаючи в'язкі домішки, які забезпечують понад 5 % відбиття порівняно з металом уздовж ширини смуги, що перевищує середню частоту падаючої енергії на 15 %, та не здатні протистояти температурі понад 450 K (177° C); або
b) керамічних матеріалів, які забезпечують понад 20 % відбиття порівняно з металом уздовж ширини смуги, що перевищує середню частоту падаючої енергії на 15 %, та не здатні протистояти температурі понад 800 K (527° C).  

Технічна примітка. 

Зразки для проведення випробувань на поглинання згідно з приміткою 1.c.1 до позиції 1.C.1.a повинні мати форму квадрата із стороною не менш як п'ять довжин хвиль середньої частоти і розміщуватися в дальній зоні випромінювального елемента.
2) з міцністю при розтягу менш як 7 х 10⁶ Н/м²; та
3) з міцністю на стиснення менш як 14 х 10⁶ Н/м²;
d) плоскі абсорбери, вироблені із спеченого фериту, що мають:
1) питому вагу понад 4,4; та
2) максимальну робочу температуру 548 K (275° C). 

Примітка 2. 

Примітка 1 не звільняє з-під контролю магнітні матеріали, що забезпечують поглинання хвиль, у разі коли вони містяться у фарбах. 

b) матеріали для поглинання хвиль на частотах понад 1,5 х 10¹⁴ Гц, але менш як 3,7 х 10¹⁴ Гц і непрозорі для видимого світла; 

з 3920
з 3921
з 3910 00 00 

c) електропровідні полімерні матеріали з об'ємною електропровідністю понад 10000 сіменс/м або поверхневим питомим опором менш як 100 Ом/м², вироблені на основі одного з наведених нижче полімера: 

1) поліаніліну; 

3909 30 00 00 

2) поліпіролу; 

3911 90 91 00 

3) політіофену; 

3911 90 93 00 

4) поліфенілен-вінілену; або 

3911 90 99 00 

5) політіенілен-вінілену. 

3919 90 90 90  

Технічна примітка. 

Об'ємна електропровідність та поверхневий питомий опір визначаються відповідно до стандартної методики ASTM D-257 або її національного еквівалента. 

1.C.2.
[1C002] 

Металеві сплави, порошки металевих сплавів та сплавлені матеріали: 

Примітка. 

Згідно з позицією 1.C.2 контролю не підлягають металеві сплави, порошки металевих сплавів або сплавлені матеріали, призначені для ґґрунтувальних покриттів. 

Технічна примітка. 

1. Металеві сплави, зазначені у позиції 1.C.2, мають назву тих металів, ваговий відсоток яких більший, ніж інших елементів, що входять до складу сплаву.
2. Строк експлуатації до руйнування (межу тривалої міцності) потрібно визначати відповідно до стандартної методики ASTM E-139 або її національного еквівалента.
3. Показник циклової втоми необхідно визначати відповідно до стандартної методики ASTM E-606 "Рекомендація з тестування на циклову втому при постійній амплітуді" або її національного еквівалента. Тестування потрібно проводити за напрямком осі при середньому значенні показника напруги, що дорівнює одиниці, та коефіцієнті концентрації напруги (Kt), що дорівнює одиниці. Середня напруга дорівнює різниці максимальної та мінімальної напруги, поділеній на максимальну напругу. 

a) алюмініди: 

7502 20 00 00 

1) нікелеві алюмініди, що містять як мінімум 15 вагових %, як максимум 38 вагових % алюмінію та принаймні один додатковий легуючий елемент; 

2) титанові алюмініди, що містять 10 або більше вагових % алюмінію та принаймні один додатковий легуючий елемент; 

8108 10 10 90 

b) металеві сплави, вироблені з матеріалів, які підлягають контролю згідно з позицією 1.C.2.c: 

1) нікелеві сплави із: 

7502 20 00 00 

a) строком експлуатації до руйнування 10000 годин або більше з навантаженням 676 МПа при температурі 923 K (650° C); або 

b) низьким показником циклової втоми 10 000 циклів випробувань або більше з навантаженням 1095 МПа при температурі 823 K (550° C); 

2) ніобієві сплави із: 

8112 91 31 00
8112 99 30 00 

a) строком експлуатації до руйнування 10000 годин або більше з навантаженням 400 МПа при температурі 1073 K (800° C); або 

b) низьким показником циклової втоми 10000 циклів випробувань або більше з навантаженням 700 МПа при температурі 973 K (700° C); 

3) титанові сплави із: 

8108 10 10 90 

a) строком експлуатації до руйнування 10000 годин або більше з навантаженням 200 МПа при температурі 723 K (450° C); або 

b) низьким показником циклової втоми 10000 циклів випробувань або більше з навантаженням 400 МПа при температурі 723 K (450° C); 

4) алюмінієві сплави з межею міцності при розтягу: 

з 7601 20
7604 29 10 00
7608 20 91 00
7608 20 99 00 

a) 240 МПа або більше при температурі 473 K (200° C); чи 

b) 415 МПа або більше при температурі 298 K (25° C); 

5) магнієві сплави з: 

з 8104 

a) межею міцності при розтягу 345 МПа або більше; та 

b) швидкістю корозії менше ніж 1 мм на рік у 3-відсотковому водному розчині хлориду натрію, виміряною відповідно до стандартної методики ASTM G-31 або її національного еквівалента; 

c) порошки металевих сплавів або частинки матеріалів, які мають усі наведені нижче характеристики: 

1) виготовлені з будь-якої наведеної нижче композиції:  

Технічна примітка. 

X відповідає одному або більше легуючим елементам, що входять до складу сплаву. 

a) нікелевих сплавів (Ni-Al-X, Ni-X-Al), призначених для використання у складі частин чи "компонентів" газотурбінних двигунів, тобто менше ніж з трьома неметалевими частками (введеними у процесі виготовлення), більшими ніж 100 мкм в 10⁹ частках сплаву; 

7504 00 00 00
 

b) ніобієвих сплавів (Nb-Al-X або Nb-X-Al, Nb-Si-X або Nb-X-Si, Nb-Ti-X або Nb-X-Ti); 

8112 91 31 00
8112 99 30 00 

c) титанових сплавів (Ti-Al-X або Ti-X-Al); 

8108 10 10 20 

d) алюмінієвих сплавів (Al-Mg-X або Al-X-Mg, Al-Zn-X або Al-X-Zn, Al-Fe-X або Al-X-Fe); або 

з 7603 

e) магнієвих сплавів (Mg-Al-X або Mg-X-Al); та 

8104 30 00 00 

2) виготовлені у контрольованому середовищі за допомогою будь-якого з наведених нижче процесів:  

a) "вакуумного розпилення"; 

b) "газового розпилення"; 

c) "відцентрового розпилення"; 

d) "охолодження розбризкуванням"; 

e) "прядіння з розплаву" та "здрібнювання"; 

f) "витягання з розплаву" та "подрібнення"; або 

g) "механічного легування"; та 

3) придатні до формування матеріалів, що підлягають контролю згідно з позиціями 1.C.2.а або 1.C.2.b; 

d) сплавлені матеріали, які мають усі наведені нижче характеристики:  

7504 00 00 00
7505 12 00 00
7603 20 00 00
7604 29 10 00
з 8104,
8108, 8112 

1) виготовлені з будь-яких композиційних систем, зазначених у позиції 1.C.2.c.1; 

2) мають форму неподрібнених гранул, стружки або тонких стрижнів; та 

3) виготовлені у контрольованому середовищі одним з наведених нижче методом:  

a) "охолодження розбризкуванням"; 

b) "прядіння з розплаву"; або 

c) "витягання з розплаву". 

1.C.3.
[1C003] 

Магнітні метали всіх типів та будь-якої форми, що мають будь-яке з наведеного нижче:  

a) початкову відносну магнітну проникність 120000 або більше і завтовшки 0,05 мм або менше; 

8505 11 00 00
8505 19
8505 19 10 00
8505 19 90 00  

Технічна примітка. 

Вимірювання початкової відносної магнітної проникності повинне здійснюватися на повністю відпалених матеріалах. 

b) магнітострикційні сплави, які мають будь-яку з наведених нижче характеристик: 

7206 90 00 00

1) магнітострикційне насичення більше ніж 5 х 10^-4; або 

2) коефіцієнт магнітомеханічного зчеплення більше ніж 0,8; або 

c) аморфну або нанокристалічну стружку сплаву, яка має: 

з 7206
7504 00 00 00
з 8105 

1) склад мінімум 75 вагових % заліза, кобальту або нікелю; 

2) магнітну індукцію насичення (Bs) - 1,6 Т або більше; та 

3) одну з наведених нижче характеристик: 

a) стружка завтовшки 0,02 мм або менше; або 

b) питомий електричний опір 2 х 10^-4 Ом/см або більше. 

Технічна примітка. 

Нанокристалічні матеріали, зазначені у позиції 1.C.3.c, - це матеріали, що мають кристалічні зерна розміром 50 нм або менше і визначаються дифракцією X-променів.  

1.C.4.
[1C004] 

Ураново-титанові сплави або вольфрамові сплави з "матрицею" на основі заліза, нікелю або міді, які мають:  

з 2844 10
з 2844 20
з 2844 30
з 2844 40
8108 10 10 90 

a) густину більше ніж 17,5 г/см³;  

b) межу пружності більше ніж 880 МПа;  

c) межу міцності на розрив більше ніж 1270 МПа; та 

d) відносне подовження понад 8 %. 

1.C.5.
[1C005] 

Провідники з "надпровідних" "композиційних матеріалів" завдовжки понад 100 м або масою понад 100 г: 

a) провідники з "надпровідних" "композиційних матеріалів", що містять одну або більше ніобієво-титанових ниток, які: 

8112 99 30 00
8544 19 90 00 

1) укладені в "матрицю", іншу, ніж мідні "матриці" або комбіновані "матриці" з мідною основою; та 

2) мають площу поперечного перерізу менш як 0,28 х 10^-4 мм² (6 мкм у діаметрі з круглим перерізом нитки); 

b) провідники з "надпровідних" "композиційних матеріалів", які містять одну або більше "надпровідних" ниток, що виготовлені не з ніобій-титану, і мають: 

8544 19 90 00 

1) "критичну температуру" при нульовій магнітній індукції понад 9,85 K (-263,31° C); та 

2) залишаються у "надпровідному" стані при температурі 4,2 K (-268,96° C) у разі перебування в магнітному полі, яке зорієнтовано у будь-якому напрямку, перпендикулярному поздовжній вісі провідника, та відповідає магнітній індукції 12 Т, з критичною щільністю струму у найбільшому поперечному перерізі провідника понад 1750 А/мм²; 

c) провідники з "надпровідних" "композиційних матеріалів", які містять "надпровідні" нитки, що залишаються у "надпровідному" стані при температурі понад 115 K (-158,16° C). 

Технічна примітка. 

Нитки, зазначені у позиції 1C005, можуть мати форму дроту, циліндра, плівки, стрічки або смужки. 

1.C.6.
[1C006] 

Рідини та мастильні матеріали: 

a) гідравлічні рідини, що містять як основні складові компоненти будь-які з наведених нижче речовин або матеріалів:  

1) синтетичні кремнієво-вуглеводні мастила, які мають все з наведеного нижче: 

Технічна примітка. 

Для матеріалів, зазначених у позиції 1.C.6.a.1, кремнієво-вуглеводні мастила містять виключно кремній, водень та вуглець. 

з 3404
3819 00 00 

a) температуру займання понад 477 K (204° C); 

b) температуру застигання 239 K (-34° C) або менше; 

c) коефіцієнт в'язкості 75 або більше; та 

d) термостабільність при 616 K (343° C); або 

2) хлорфторвуглецеві матеріали, у яких: 

Технічна примітка. 

Для матеріалів, зазначених у позиції 1.C.6.a.2, хлорфторвуглеці містять виключно хлор, фтор і вуглець. 

з 2812
з 2826
3824 71 00 00
3824 90 95 00 

a) відсутня температура займання; 

b) температура самозаймання понад 977 K (704° C); 

c) температура застигання 219 K (-54° C) або менше; 

d) коефіцієнт в'язкості 80 або більше; та 

e) температура кипіння 473 K (200° C) або вище. 

Технічна примітка. 

Для матеріалів, наведених у позиції 1.C.6.a:
1) температура займання визначається за методом Клівлендської відкритої чаші, описаним у стандартній методиці ASTM D-92 або в її національному еквіваленті;
2) температура застигання визначається за методом, описаним в стандартній методиці ASTM D-97 або в її національному еквіваленті;
3) коефіцієнт в'язкості визначається за методом, описаним в стандартній методиці ASTM D-2270 або в її національному еквіваленті;
4) термостабільність визначається за методикою випробувань або в її національному еквіваленті.
20 мл випробуваної рідини заливають у камеру об'ємом 46 мл з нержавіючої сталі марки 317, що містить шари номінальним діаметром 12,5 мм з інструментальної сталі марки M-10, сталі марки 52100 та корабельної бронзи (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn).
Камера, продута азотом, загерметизована під тиском, що дорівнює атмосферному, при температурі, підвищеній до 644 ± 6 K (371 ± 6° C) і витриманій на цьому рівні 6 годин.
Зразок вважається термостабільним, якщо після закінчення зазначеної процедури виконуються такі умови:
a) втрата ваги кожного шару менш як 10 мг/мм² його поверхні;
b) зміна початкової в'язкості, визначеної при 311 K (38° C), менш як 25 %;
c) загальне число кислотності або основності менш як 0,40;
5) температура самозаймання визначається за методом, описаним у стандартній методиці ASTM E-659 або в її національному еквіваленті. 

b) мастильні матеріали, що містять як основну складову будь-яку з наведених нижче речовин або матеріалів: 

1) феніленові або алкілфеніленові ефіри, тіоефіри або їх суміші, які містять більше ніж дві ефірні або тіоефірні функції або їх суміші; або 

2) фторовані рідини, що містять кремній і мають кінематичну в'язкість менш як 5000 мм²/с (5000 сантистоксів) при температурі 298 K (25° C); 

з 3403 

c) зволожувальні або флотаційні рідини з показником чистоти понад 99,8 %, які містять менш як 25 частинок розміром 200 мкм і більше на 100 мл об'єму і виготовлені принаймні на 85 % з будь-яких наведених нижче речовин або матеріалів: 

2909 30 90 00
2930 90 30 00
3824 90 95 00  

1) дібромтетрафторетану;  

3824 90 95 00
з 3910 00 00 

2) поліхлортрифторетилену (лише маслянисті та воскоподібні модифікації); або 

3) полібромтрифторетилену;  

2903 46 90 00 

d) фторвуглецеві охолодні рідини для електроніки, що мають усі наведені нижче характеристики:  

3904 69 10 00
3904 69 90 00 

1) містять 85 вагових % або більше однієї з наведених нижче речовин чи суміші з них: 

3904 69 10 00
3904 69 90 00 

a) мономерні форми перфторполіалкілефір-тріазинів або перфтораліфатичних ефірів; 

3824 90 95 00 

b) перфторалкіламіни; 

з 2909 

c) перфторциклоалкани; або 

d) перфторалкани; 

2) густина 1,5 г/мл або більше при температурі 298 K (25° C); 

3) рідкий стан при температурі 273 K (0° C); та  

4) містять 60 вагових % або більше фтору. 

1.C.7.
[1C007] 

Матеріали на керамічній основі, керамічні некомпозиційні матеріали, матеріали типу "композит" з керамічною "матрицею", а також прекурсори: 

a) основні матеріали з простих або складних боридів титану, які містять металеві домішки, крім навмисних домішок, на рівні менш як 5000 частинок на мільйон при середньому розмірі частинки, що дорівнює або менший ніж 5 мкм, при цьому не більше ніж 10 % частинок розміром понад 10 мкм; 

2850 00 90 00 

b) керамічні некомпозиційні матеріали у необробленій формі або у формі напівфабрикатів на основі боридів титану з густиною 98 % або більше теоретичної густини; 

2850 00 90 00 

Примітка. 

Згідно з позицією 1.C.7.b контролю не підлягають абразиви. 

c) "композиційні матеріали" типу кераміка-кераміка із скляною або оксидною "матрицею" та армовані волокнами, які: 

з 2849,
з 2850 00,
8803 90 10 00 

1) виготовлені з будь-якого наведеного нижче
матеріалу: 

з 9306 90 

a) Si-N
b) Si-C
c) Si-Al-O-N або
d) Si-O-N та 

2) мають питому межу міцності при розтягу понад 12,7 х 10³ м. 

d) "композиційні матеріали" типу кераміка-кераміка з однорідної металевої фази або без неї, що включає частинки, вуса (ниткоподібні монокристали) або волокна, в яких "матриця" сформована з карбідів або нітридів кремнію, цирконію або бору; 

8803 90 10 00
з 9306 90 

e) прекурсори (тобто полімерні або металоорганічні спеціального призначення) для виробництва будь-якої фази або фаз матеріалів, що підлягають контролю відповідно до позиції 1.C.7.c: 

з 3910 00 00
 

1) полідіорганосилани (для виробництва карбіду кремнію);  

2) полісилазани (для виробництва нітриду кремнію); 

3) полікарбосилазани (для виробництва кераміки з кремнієвими, вуглецевими та азотними компонентами); 

f) "композиційні матеріали" типу кераміка-кераміка з оксидною або скляною "матрицею", армованою однорідними волокнами будь-якої з наведених нижче систем: 

з 6903,
6914 90 90 00 

1) Al₂O₃; або
2) Si-C-N. 

Примітка. 

Згідно з позицією 1.C.7.f контролю не підлягають "композиційні матеріали", що мають волокна з таких систем з межею міцності при розтягу менш як 700 МПа при 1273 K (1000° C) або опору повзучості розриву волокон понад 1 % напруги повзучості при навантаженні 100 МПа та 1273 K (1000° C) протягом 100 годин. 

1.C.8.
[1C008] 

Нефторовані полімерні речовини: 

1.C.8.a. 

1) бісмалеіміди; 

2925 19 30 00
2925 19 80 00
3908 90 00 00
3909 30 00 00
3907 20 91 00
3907 91 90 00 

2) ароматичні поліамідіміди;  

3) ароматичні полііміди; 

4) ароматичні поліефіріміди, які мають температуру переходу в склоподібний стан (Tg) понад 513 K (240° C). 

Примітка. 

Згідно з позицією 1.C.8.a контролю підлягають речовини у рідкій або твердій "плавкій" формі, у тому числі у формі смоли, порошку, котуна, плівки, листа, стрічки або смужки. 

Особлива примітка. 

Щодо виробів з неплавкого ароматичного полііміду, які мають форму плівки, листа, стрічки або смужки див. позицію 1.A.3. 

1.C.8.b. 

Термопластичні рідкокристалічні сополімери, які мають температуру теплової деформації понад 523 K (250° C), виміряну відповідно до стандартної методики ISO 75-2 (2004) або її національного еквівалента, під час навантаження 1,80 Н/мм², і утворені сполученням: 

1) будь-яким з наведених нижче: 

a) фенілену, біфенілену або нафталену; або
b) метилу, третинного бутилу або феніл-заміщеного фенілену, біфенілену або нафталену; та 

3907 91 90 00 

2) будь-якою з наведених нижче кислот: 

a) терефталевою;
b) 6-гідрокси-2 нафтіоновою; або
c) 4-гідроксибензойною. 

1.C.8.c. 

Виключено; 

1.C.8.d. 

Поліариленові кетони; 

з 3907 99 

1.C.8.e. 

Поліариленові сульфіди, в яких ариленова група є біфеніленом, трифеніленом, або їх комбінацією; 

з 3911 90 

1.C.8.f. 

Полібіфеніленефірсульфон, який має температуру переходу до склоподібного стану (Tg) понад 513 K (240° C). 

з 3911 90 

Технічна примітка. 

Температура переходу до склоподібного стану (Tg) для матеріалів, зазначених у позиції 1.C.8, визначається за методом, описаним у стандарті ISO 11357-2 (1999) або його національному еквіваленті. 

1.C.9.
[1C009] 

Необроблені сполуки, що містять фтор: 

a) сополімери вініліденфториду, які містять 75 % або більше бета-кристалічної структури, одержаної без витягування; 

3904 69 10 00
3904 60 90 00 

b) фтористі поліаміди, які містять 10 вагових % або більше "зв'язаного" фтору; 

3904 69 10 00
3904 60 90 00 

c) фтористі фосфазинові еластоміри, які містять 30 вагових % або більше зв'язаного фтору. 

3904 69 10 00
3904 60 90 00 

1.C.10.
[1C010] 

"Волокнисті або ниткоподібні матеріали", що можуть бути використані в органічних "матрицях", металевих "матрицях" або вуглецевих "матрицях", "композиційних" або багатошарових структурах: 

a) органічні "волокнисті або ниткоподібні матеріали", у яких: 

з 3916
з 3926
6815 10 10 00 

1) питомий модуль пружності понад 12,7 х 10⁶ м; та 

2) питома межа міцності при розтягу понад 23,5 х 10⁴ м. 

Примітка. 

Згідно з позицією 1.C.10.a контролю не підлягає поліетилен. 

b) вуглецеві "волокнисті або ниткоподібні матеріали", у яких: 

з 3801
з 3916
з 3926
6815 10 10 00
6903 10 00 00 

1) питомий модуль пружності понад 12,7 х 10⁶ м; та 

2) питома межа міцності при розтягу понад 23,5 х 10⁴ м. 

Примітка. 

Згідно з позицією 1.C.10.b контролю не підлягають тканини, виготовлені з "волокнистих або ниткоподібних матеріалів" для ремонту структур або ламінатів "цивільних літальних апаратів", розмір окремих листів яких не перевищує 100 х 100 см. 

Технічна примітка. 

Властивості матеріалів, зазначених у позиції 1.C.10.b, повинні визначатися за методами SRM 12-17, рекомендованими Асоціацією постачальників перспективних "композиційних матеріалів" (SACMA), ISO 10618 (2004) 10.2.1 Метод А або їх національними еквівалентами випробувань на розтяг та базуються на середній якості партії. 

c) неорганічні "волокнисті або ниткоподібні матеріали", у яких: 

з 3926
6815 10 10 00
8101 92 00 00
8108 90 30 00
8108 90 70 00 

1) питомий модуль пружності понад 2,54 х 10⁶ м; та 

2) температура плавлення, розм'якшування, розкладу або сублімації понад 1922 K (1649° C) в інертному середовищі. 

Примітка. 

Згідно з позицією 1.C.10.c контролю не підлягають:
a) дискретні, багатофазні, полікристалічні волокна оксиду алюмінію у вигляді переривного волокна або в довільній сплутаній формі, що мають 3 або більше вагових % діоксиду кремнію з питомим модулем пружності менш як 10 х 10⁶ м;
b) волокна молібденові або з молібденових сплавів;
c) волокна на основі бору;
d) дискретні керамічні волокна з температурою плавлення, розм'якшення, розкладу та сублімації нижче 2043 K (1770° C) в інертному середовищі.  

d) "волокнисті або ниткоподібні матеріали": 

з 3926
5402 49 99 00
5501 90 10 00
5501 90 90 00
5503 90 90 00
6815 10 10 00 

1) які мають будь-яку з наведених нижче складових: 

а) поліефіріміди, що підлягають контролю згідно з позицією 1.C.8.a; або 

b) матеріали, що підлягають контролю згідно з позиціями 1.C.8.b - 1.C.8.f; або 

2) до складу яких входять матеріали, що підлягають контролю згідно з позиціями 1.C.10.d.1.a або 1.C.10.d.1.b, та "сплутані" з іншими волокнами, що підлягають контролю згідно з позиціями 1.C.10.a, 1.C.10.b або 1.C.10.c; 

e) волокна, насичені смолою або пеком (препреги), металеві або покриті вуглецем волокна ("преформи") або "преформи вуглецевого волокна": 

6815 10 10 00
6815 99 90 00
6903 10 00 00
з 7019 11 00
з 7019 10
з 7019 20 

1) виготовлені з "волокнистих або ниткоподібних матеріалів", що підлягають контролю згідно з позиціями 1.C.10.a, 1.C.10.b або 1.C.10.c; 

2) виготовлені з органічних або вуглецевих "волокнистих або ниткоподібних матеріалів": 

а) з питомою межею міцності при розтягу понад 17,7 х 10⁴ м; 

b) з питомим модулем пружності понад 10,15 х 10⁶ м; 

c) не підлягають контролю згідно з позиціями 1.C.10.а або 1.C.10.b; та 

d) насичені матеріалами, що підлягають контролю згідно з позиціями 1.C.8 або 1.C.9.b, і мають температуру переходу до склоподібного стану (Tg) понад 383 K (110° C), або з фенольною чи епоксидною смолами, які мають Tg, що дорівнює або перевищує 418 K (145° C). 

з 3916
6815 10 10 00 

Примітки. 

Згідно з позицією 1.C.10.e контролю не підлягають:
1) вуглецеві "волокнисті або ниткоподібні матеріали", імпрегновані у "матрицю" з епоксидної смоли (препреги) для ремонту структур або ламінатів "цивільних літальних апаратів", у яких розмір окремих листів препрега не перевищує 100 х 100 см;
2) препреги, насичені фенольною або епоксидною смолами, які мають Tg менш як 433 K (160° C) та температуру переходу до склоподібного стану нижче Tg. 

Технічна примітка. 

Температура переходу до склоподібного стану (Tg) для матеріалів, що підлягають контролю згідно з позицією 1.C.10.e, визначається за методом, описаним в ASTM D 3418, із застосуванням сухого методу. Tg для фенольних та епоксидних смол визначається за методом, описаним в ASTM D 4065, при частоті 1 Гц та швидкості нагрівання 2 K (° C) за хвилину із застосуванням сухого методу. 

1.C.11.
[1C011] 

Метали та сполуки: 

a) метали з розміром частинок менш як 60 мкм, які мають сферичну, розпилену, сфероїдальну, розшаровану або молоту форму, виготовлені з матеріалу, що на 99 % або більше складається з цирконію, магнію або сплавів з них; 

8104 30 00 00
8109 10 10 00
 

Примітка. 

Метали або сплави, зазначені в позиції 1.C.11.b, підлягають контролю згідно з цією позицією незалежно від того, чи ці метали або сплави інкапсульовані в алюміній, магній, цирконій або берилій, чи ні. 

Технічна примітка. 

Природний вміст гафнію в цирконії (типово від 2 до 7 %) підраховується з урахуванням цирконію. 

b) бор або карбід бору чистотою 85 % або вище та розміром частинок 60 мкм або менше; 

2804 50 10 00
2849 90 10 00 

Примітка. 

Метали або сплави, зазначені в позиції 1.C.11.b, підлягають контролю згідно з цією позицією незалежно від того, чи ці метали або сплави інкапсульовані в алюміній, магній, цирконій або берилій, чи ні. 

c) нітрат гуанідину; 

2925 20 00 00 

d) нітрогуанідин (NQ) (CAS 556-88-7). 

2929 90 00 00 

1.C.12.*
[1C012] 

Матеріали: 

____________
* Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за дозволом (висновком) Держекспортконтролю. 

Технічна примітка. 

Такі матеріали типово використовуються для ядерних джерел теплоти. 

a) плутоній у будь-якому вигляді з вмістом ізотопу плутонію-238, що більше ніж 50 вагових %; 

2844 20 51 00
2844 20 59 00
2844 20 81 00
2844 20 89 00 

Примітка. 

Згідно з позицією 1.C.12.а контролю не підлягають:
1) передача одного грама або менше плутонію;
2) передача трьох або менше "ефективних грамів", що використовуються як чутливі елементи у приладах. 

b) "попередньо розподілений" нептуній-237 у будь-якому вигляді. 

з 2844 40  

Примітка. 

Згідно з позицією 1.C.12.b контролю не підлягає передача одного грама або менше нептунію-237. 

1.C.13.* 

Матеріали, які за своїми властивостями можуть бути використані у терористичних цілях: 

____________
* Товар, імпорт (тимчасове ввезення) якого здійснюється за дозволом (висновком) Держекспортконтролю. 

1.C.13.a.** 

Промислові вибухові речовини та їх компоненти, у тому числі: 

____________
** Товар, для отримання дозволу (висновку) на імпорт (тимчасове ввезення) якого імпортером разом із заявою до Держекспортконтролю подається позитивний висновок Мінпромполітики або НКАУ, якщо імпортером є підприємство, яке належить до сфери управління Агентства. 

1) азиди металів, а також вибухові речовини або капсульні композиції, що містять азиди чи комплекси азидів; 

2850 00 50 00
3602 00 00 00
3603 00 10 00
3603 00 90 00 

2) азотна кислота з концентрацією більше ніж 95 %; 

2808 00 00 00 

3) гексанітродифеніламін; 

2921 44 00 00 

4) діетилдифенілсечовина, диметилдифенілсечовина, метилетилдифенілсечовина (централіти); 

2924 10 00 00 

5) діоктилмалеат; 

2917 19 90 00 

6) димний (чорний) порох; 

3601 00 00 00 

7) динітропропанол; 

2905 50 10 90 

8) дифторамін; 

2826 19 00 00 

9) етилендіаміндинітрат (EDDN); 

2921 21 00 00 

10) етил-N,N-дифенілсечовина (несиметрична етилдифенілсечовина); 

2924 10 00 00 

11) емульсійні вибухові речовини, виготовлені з водних розчинів нітратів лужних металів, емульсованих у мінеральних оліях; 

3602 00 00 00 

12) мисливські та інші порохи, що мають сталу швидкість горіння понад 38 мм/с за нормальних умов (тиск 6,89 МПа, температура 294 K (21° C), включаючи нітроцелюлозні порохи, в тому числі двоосновні; 

3601 00 00 00 

13) метил-N,N-дифенілсечовина (несиметрична етилдифенілсечовина); 

2924 10 00 00 

14) нітрат калію; 

2834 21 00 00 

15) нітрогліцерин (або гліцеринтринітрат, тринітрогліцерин); 

2905 50 99 00 

16) нітрокрохмаль; 

3505 10 90 00 

17) нітроцелюлоза; 

3912 20 19 00 

18) пентаеритриттетранітрат (PETN); 

2920 90 85 00 

19) пероксид водню з концентрацією більше ніж 85 %; 

2847 00 00 00 

20) перхлорати та хлорати металів (без амонію); 

з 2829 

21) пікрат амонію; 

2908 90 00 00 

22) пікрат калію; 

2908 90 00 00 

23) N-піролідинон; 1-метил-2-піролідинон; 

2933 90 95 00 

24) N,N-дифенілсечовина (несиметрична метилдифенілсечовина); 

2924 10 00 00 

25) стифнати металів;  

2908 90 00 00 

26) тетранітронафталін; 

2904 20 90 00 

27) триетилалюміній (ТЕА), триметилалюміній (ТМА) та інші пірофорні алкілові та арилові похідні літію, натрію, магнію, цинку і бору; 

2931 00 95 30
2931 00 95 90
з 3606 90 

28) триетиленглікольдинітрат (TEGDN); 

2909 19 00 90 

29) тринітроанізол; 

2904 20 90 00 

30) тринітроксилол; 

2904 20 90 00 

31) тринітронафталін; 

2904 20 90 00 

32) тринітрофенол (пікринова кислота); 

2908 90 00 00 

33) 2,4,6-тринітрорезорцин (стифнінова кислота);  

2908 90 00 00 

34) 2,4,6-тринітротолуол (TNT); 

2904 20 10 00 

35) 2-нітродифеніламін (2-NDPA); 

2921 44 00 00 

36) 4-нітродифеніламін (4-NDPA); 

2921 44 00 00 

37) хлортрифторид. 

2812 90 00 00 

1.C.13.b. 

Токсичні хімічні речовини та сполуки: 

1) акролеїн (альдегід акрилової кислоти) (CAS 107-02-8); 

2912 19 00 00 

2) арсин (миш'яковистий водень) (CAS 7784-42-1); 

2850 00 10 00 

3) бромацетофенон (CAS 70-11-1); 

2914 70 90 00 

4) бромацетон (CAS 598-31-2); 

2914 70 90 00 

5) бромціан (CAS 506-68-3); 

2851 00 80 00 

6) бензилбромід (CAS 100-39-0); 

2903 69 90 90 

7) бензилйодид (CAS 620-05-3); 

2903 69 90 90 

8) брометилетилкетон (CAS 816-40-0); 

2914 70 90 00 

9) бутилтрифторсилан;  

2931 00 95 90 

10) дигідрофенарсазинхлорид (адамсит) (CAS 578-94-8); 

2931 00 95 90 

11) дифенілхлорарсин (CAS 712-48-1); 

2931 00 95 90 

12) дифенілціанарсин;  

2931 00 95 90 

13) етилбромацетат (CAS 105-36-2); 

2915 90 80 90 

14) етилйодацетат (CAS 623-48-3); 

2915 90 80 90 

15) йодацетон (CAS 3019-04-3); 

2914 70 90 00 

16) ксилілбромід (CAS 89-92-9; 620-13-3; 104-81-4); 

2903 69 90 90 

17) кротоновий альдегід (CAS 123-73-9); 

2912 29 00 00 

18) пропілтрифторсилан; 

2931 00 95 90 

19) трихлортриетиламін (CAS 817-09-4); 

2921 19 80 00 

20) трихлорметилхлорформіат (дифосген) (CAS 503-38-8); 

2915 90 20 00 

21) хлор (CAS 7782-50-5); 

2801 10 00 00 

22) хлорангідрид метан сульфокислоти (CAS 124-63-0); 

2904 90 20 00 

23) хлорангідрид бензойної кислоти (CAS 98-88-4); 

2916 39 00 90 

24) хлорангідрид 2-фуранової кислоти (CAS 527-69-5); 

2932 99 90 00 

25) хлорацетон (CAS 78-95-5); 

2914 70 90 00 

26) хлорацетофенон (CAS 532-27-4); 

2914 70 90 00 

27) фосфін (фосфористий водень) (CAS 7803-51-2); 

2850 00 10 00 

28) 2-бромбензилціанід (CAS 19472-74-3); 

2929 90 99 90 

29) 3-бромбензилціанід (CAS 31938-07-5); 

2929 90 99 90 

30) 4-бромбензилціанід (CAS 16532-79-9); 

2929 90 99 90 

31) 8-метил-N-ванілін-6-ноненамід (капсацин) (CAS 404-86-4). 

2939 90 90 00 

1.C.13.c.* 

Будь-які окремі чи у складі інших виробів джерела іонізуючого випромінювання з періодом напіврозпаду більше ніж 5 років, які мають активність більше ніж 3,7 х 1012 Бк. 

з 2844, 2845 

____________
* Товар, для отримання дозволу (висновку) на імпорт (тимчасове ввезення) якого імпортером разом із заявою до Держекспортконтролю подається позитивний висновок Держатомрегулювання. 

Примітка. 

Імпорт та тимчасове ввезення товарів, які визначені в позиції 1.C.13.c, здійснюються за дозволами Держекспортконтролю, які надаються за наявності позитивних висновків Держатомрегулювання щодо дотримання імпортером вимог, передбачених для ввезення заявлених товарів на територію України. Вимоги визначаються Держатомрегулювання в установленому порядку. 

ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ 

1.D. 

1) "програмне забезпечення", спеціально призначене або модифіковане для "розроблення", "виробництва" або "використання" обладнання, що підлягає контролю згідно з позицією 1.b; 

з 8524
з 8471 70 

[1D001] 

2) "програмне забезпечення" для "розроблення" "композиційних" або багатошарових структур з органічною "матрицею", металевою "матрицею" або вуглецевою "матрицею"; 

з 8524
з 8471 70 

[1D002] 

3) "програмне забезпечення", спеціально призначене або модифіковане для забезпечення виконання обладнанням функцій обладнання, яке підлягає контролю згідно з позиціями 1.A.4.c та 1.A.4.d; 

[1D003] 

4) "програмне забезпечення", спеціально призначене для "розроблення", "виробництва" або "використання" промислових вибухових речовин та їх компонентів, зазначених у позиції 1.C.13.a. 

з 8524
з 8471 70 

1.E. 

ТЕХНОЛОГІЯ 

1.E.1.*
[1E001 

"Технологія" відповідно до пункту 1 особливих приміток для "розроблення" або "виробництва" обладнання чи матеріалів, які підлягають контролю згідно з позиціями 1.A.1.b, 1.A.1.c,
1.A.2 - 1.A.5, 1.A.6.b, 1.A.7, 1.B або 1.C. 

з 3705,
з 3706, 8524,
4901 99 00 00
4906 00 00 00 

____________
* Імпорт "технології" відповідно до пункту 1 особливих приміток для "розроблення" або "виробництва" матеріалів, які підлягають контролю згідно з позицією 1.C.12, здійснюється за дозволом Держекспортконтролю. 

1.E.2.
[1E002] 

Інші "технології", наведені нижче: 

з 3705,
з 3706, 8524,
з 8471 70
4901 99 00 00
4906 00 00 00 

a) "технологія" для "розроблення" або "виробництва" полібензотіазолів чи полібензоксазолів; 

b) "технологія" для "розроблення" або "виробництва" сполук фтореластомірів, що містять принаймні один мономер вінілефіру; 

c) "технологія" для "розроблення" або "виробництва" матеріалів для основ або керамічних матеріалів, що не належать до "композиційних матеріалів":  

1) матеріали основи, що мають наведені нижче характеристики:  

a) будь-яка з наведених нижче композицій:
1) простих або комплексних оксидів цирконію і комплексних оксидів кремнію або алюмінію;
2) простих нітридів бору (з кубічними формами кристалів);
3) простих або комплексних карбідів кремнію або бору; або
4) простих або комплексних нітридів кремнію; 

b) сумарний вміст металевих домішок за винятком тих, які вносяться навмисно: 

1) менш як 1000 частинок на мільйон для простих оксидів або карбідів; або
2) менш як 5000 частинок на мільйон для комплексних сполук або простих нітридів; та 

c) будь-що з наведеного нижче:
1) цирконій із середнім розміром частинок, що дорівнює або менший ніж 1 мкм, при цьому не більше ніж
10 % частинок розміром понад 5 мкм;
2) інші матеріали основи із середнім розміром частинок, що дорівнює або менший ніж 5 мкм, при цьому не більше ніж 10 % частинок розміром понад 10 мкм; або
3) мають будь-яку з наведених нижче характеристик:
a) пластинки з відношенням довжини до товщини, що перевищує 5;
b) ниткоподібні монокристали з відношенням довжини до діаметра, що для діаметрів менш як 2 мкм перевищує 10; та
c) непереривчасті або дискретні волокна діаметром менш як 10 мкм; 

2) керамічні некомпозиційні матеріали, що складаються з матеріалів, зазначених у позиції 1.E.2.c.1; 

Примітка. 

Згідно з позицією 1.E.2.c.2 контролю не підлягає технологія розроблення або виробництва абразивів. 

d) "технологія" для "виробництва" ароматичних поліамідних волокон; 

e) "технологія" для складання, обслуговування та відновлення матеріалів, що підлягають контролю згідно з позицією 1.C.1; 

f) "технологія" для відновлення "композиційних" багатошарових структур або матеріалів, які підлягають контролю згідно з позиціями 1.A.2, 1.C.7.c або 1.C.7.d; 

Примітка. 

Згідно з позицією 1.E.2.f контролю не підлягає "технологія" проведення ремонту матеріалів для "цивільних літальних апаратів", під час якого використовуються вуглецеві "волокнисті або ниткоподібні матеріали" та епоксидні смоли, описані в посібниках виробників авіатехніки. 

g) бібліотеки (параметричні технічні бази даних) (parametric technical databases), спеціально призначені або модифіковані для забезпечення виконання обладнанням функцій обладнання, яке підлягає контролю згідно з позицією 1.A.4.c. 

Технічна примітка. 

У позиції 1.E.2.g термін "бібліотека" (параметрична технічна база даних) означає сукупність технічної інформації, посилання на яку може удосконалювати робочі характеристики відповідного обладнання або систем. 

1.E.3. 

"Послуги та роботи" (відповідно до особливої примітки щодо послуг та робіт) стосовно товарів подвійного використання, зазначених у позиціях 1.A, 1.B, 1.C, 1.D або 1.E. 

Додаток до позиції 1.A.8 розділу 1 

Список вибухових речовин 

1) 

амінодинітробензофуроксан (ADNBF) або 7-аміно-4,6-динітробензофуразан-1-оксид (CAS 97096-78-1); 

2933 90 95 90 

2) 

цис-біс (5-нітротетразолато) тетраамін-кобальт (III) перхлорат (BNCP) (CAS 117412-28-9); 

2829 90 10 00 

3) 

діамінодинітробензофуроксан або 5,7-діаміно-4,6-динітробензофуразан-1-оксид (CL-14) (CAS 117907-74-1); 

2933 90 95 90 

4) 

гексанітрогексаазаізовюрцитан (CAS 135285-90-4) (CL-20 або HNIW); клатрати CL-20; 

2933 90 95 90 

5) 

2-(5-ціанотетразолато) пентаамін-кобальт (III) перхлорат (CP) (CAS 70247-32-4); 

2829 90 10 00 

6) 

1,1-діаміно-2,2-дінітроетилен, FOX7 (DADE); 

7) 

діамінотринітробензол (DATB) (CAS 1630-08-6); 

2929 90 00 00 

8) 

1,4-динітродифуразанопіперазин (DDFP); 

9) 

2,6-діаміно-3,5-динітропіразин-1-оксид, PZO (DDPO) (CAS 194486-77-6); 

10) 

3,3'-діаміно-2,2',4,4',6,6'-гексанітродифеніл або дипікрамід (DIPAM) (CAS 17215-44-0); 

2929 90 00 00 

11) 

динітрогліколурил (DNGU, DINGU) (CAS 55510-04-8) 

2933 90 95 00 

12) 

фуразани: 

a) діаміноазоксифуразан (DAAOF); 

b) діаміноазофуразан (DAAzF) (CAS 78644-90-3); 

13) 

HMX та його похідні: 

2933 69 80 00 

a) циклотетраметилентетранітрамін (CAS 2691-41-0) (HMX); октагідро-1,3,5,7-тетранітро-1,3,5,7-тетразин, 1,3,5,7-тетранітро-1,3,5,7-тетразациклооктан (октоген); 

b) дифтораміновані аналоги HMX; 

2933 90 95 90 

c) 2,4,6,8-тетранітро-2,4,6,8-тетраазабіцикло-[3,3,0]-октанон-3, тетранітросемигліколурил або кетобіциклічний НМХ (K-55) (CAS 130256-72-3); 

14) 

гексанітроадамантан (HNAD) (CAS 143850-71-9); 

15) 

гексанітростильбен (HNS) (CAS 20062-22-0); 

2929 90 00 00 

16) 

імідазоли: 

a) октагідро-2,5-біс (нітроаміно) імідазо [4,5-d] імідазол (BNNII); 

b) 2,4-динітроімідазол (DNI) (CAS 5213-49-0); 

c) 1-фторо-2,4-динітроімідазол (FDIA); 

d) N-(2-нітротриазол)-2,4-динітроімідазол (NTDNIA); 

e) 1-пікрил-2,4,5-тринітроімідазол (PTIA); 

17) 

1-(2 нітротриазол)-2-динітрометиленгідразин (NTNMH); 

18) 

3-нітро-1,2,4-триазол-5-он (NTO або ONTA) (CAS 932-64-9); 

2933 69 80 00 

19) 

полінітрокубани з більш як чотирма нітрогрупами; 

2929 90 00 00 

20) 

2,6-біс (пікриламіно)-3,5-динітропіридин (PYX) (CAS 38082-89-2); 

2933 39 95 00 

21) 

циклотриметилентринітрамін (RDX) та його похідні: 

a) циклотриметилентринітрамін (RDX) циклоніт; T4; гексагідро-1,3,5-тринітро-1,3,5-триазин; 1,3,5-тринітро-1,3,5-триазациклогексан (гексоген) (CAS 121-82-4); 

2933 69 10 00 

b) 2,4,6-тринітро-2,4,6-триазациклогексанон (K-6 або кето-RDX) (CAS 115029-35-1); 

2933 90 95 90 

22) 

триаміногуанідиннітрат (TAGN) (CAS 4000-16-2); 

2925 20 00 00 

23) 

триамінотринітробензол (TATB) (CAS 3058-38-6); 

2929 90 00 00 

24) 

3,3,7,7-тетрабіс(дифторамін) октагідро-1,5-динітро-1,5-діазоцин (TEDDZ); 

25) 

тетразоли: 

a) нітротриазоламінотетразол (NTAT); 

b) 1-N-(2-нітротриазоло)-4-нітротетразол (NTNT); 

26) 

тринітрофенілметилнітрамін (тетрил) (CAS 479-45-8); 

2929 90 00 00 

27) 

1,4,5,8-тетранітро-1,4,5,8-тетраазадекалін (TNAD) (CAS 135877-16-6); 

2933 90 95 90 

28) 

1,1,3-тринітроазетидин (TNAZ) (CAS 97645-24-4) 

2933 90 95 90 

29) 

тетранітрогліколурил (TNGU, SORGUYL) (CAS 55510-03-7); 

2933 90 95 00 

30) 

1,4,5,8-тетранітро-пирідазино [4,5-d] пирідазин (TNP) (CAS 229176-04-9); 

31) 

триазини: 

a) 2-оксі-4,6-дінітроаміно-s-триазин (DNAM) (CAS 19899-80-0); 

b) 2-нітроіміно-5-нітро-гексагідро-1,3,5-триазин (NNHT) (CAS 130400-13-4); 

32) 

триазоли: 

a) 5-азидо-2-нітротриазол; 

b) 4-аміно-3,5-дигідрозино-1,2,4-триазолдинітрамід (ADHTDN) (CAS 1614-08-0); 

c) 1-аміно-3,5-динітро-1,2,4-триазол (ADNT); 

d) [біс-динітротриазол]амін (BDNTA); 

e) 3,3'-динітро-5,5-біс-1,2,4-триазол (DBT) (CAS 30003-46-4); 

f) динітробістриазол (DNBT) (CAS 70890-46-9); 

g) 2-нітротриазол 5-динітрамід (NTDNA) (CAS 75394-84-9); 

h) 1-N-(2-нітротриазол) 3,5-динітротриазол (NTDNT); 

i) 1-пікрил-3,5-динітротриазол (PDNT); 

j) тетранітробензотриазолобензотриазол (TACOT) (CAS 25243-36-1); 

33) 

не зазначені у цьому списку вибухові речовини із швидкістю детонації понад 8700 м/с при максимальній щільності або детонаційному тиску понад 34 ГПа (340 кбар); 

34) 

інші органічні вибухові речовини, не зазначені в цьому списку, що створюють детонаційний тиск 25 ГПа (250 кбар) або більше і не змінюються при температурі 250° C або вище протягом 5 хвилин і довше; 

35) 

нітроцелюлоза (що містить більше ніж 12,5 % азоту); 

36) 

нітрогліколь; 

37) 

пентаеритриттетранітрат (PETN); 

38) 

пікрилхлорид; 

39) 

2,4,6-тринітротолуол (TNT); 

40) 

нітрогліцерин (NG); 

41) 

триперикісь триацетона (TATP); 

42) 

нітрат гуанідина; 

43) 

нітрогуанідин (NQ) (CAS 556-88-7). 

Номер позиції 

Найменування та опис товарів за відповідними групами 

Код товару згідно з УКТЗЕД 

2. 

ОБРОБЛЕННЯ МАТЕРІАЛІВ 

2.A. 

СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ 

Особлива примітка. 

Підшипники плавного ходу визначені у позиції ML9 Списку товарів військового призначення, міжнародні передачі яких підлягають державному контролю, затвердженого постановою Кабінету Міністрів України від 20 листопада 2003 р. N 1807. 

2.A.1.
[2A001] 

Антифрикційні підшипники, системи підшипників та їх "компоненти": 

Примітка.  

Згідно з позицією 2.A.1 контролю не підлягають кулькові підшипники з допусками на кульки, встановленими виробниками відповідно до міжнародного стандарту ISO 3290, класу 5 або нижче. 

a) кулькові та твердороликові підшипники, які мають усі допуски, установлені виробником відповідно до класу точності 4 згідно з міжнародним стандартом ISO 492 (або класу точності ABEC-7 чи RBEC-7 згідно із стандартом ANSI/ABMA Std 20, або іншими національними еквівалентами) або краще, у яких кільця, шарики і ролики (ISO 5593) виготовлені з нікелево-мідного сплаву або берилію; 

8482 10 90 00
8482 50 00 00 

Примітка. 

Згідно з позицією 2.A.1.a контролю не підлягають конічні роликові підшипники. 

b) інші кулькові та твердороликові підшипники, які мають допуски, установлені виробником відповідно до міжнародного стандарту ISO492 класу допуску 2 (або ANSI/ABMA Std 20 класу допуску ABEC-9 чи RBEC-9, інших національних еквівалентів) або краще; 

8482 80 00 00 

Примітка. 

Згідно з позицією 2.A.1.b контролю не підлягають конічні роликові підшипники. 

c) активні магнітні підшипникові системи, які мають одну із складових:
1) матеріали з магнітною індукцією 2 Т або більше і межею плинності понад 414 МПа;
2) електромагнітний пристрій для приводу з тримірним уніполярним високочастотним підмагнічуванням; або
3) високотемпературні (450 K (177° C) і більше) позиційні датчики. 

8483 30 10 00,
8483 30 90 00 

2.B. 

ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА 

Технічні примітки. 

1. Вторинні паралельні контурні осі (осі оброблення) (наприклад, W-осьова фреза горизонтальної розточки або вторинна вісь обертання, центрова лінія якої паралельна головній осі обертання) не включені у загальну кількість контурних осей. Осі обертання не обов'язково передбачають поворот на кут, більший ніж 360° . Вісь обертання може мати привід лінійного переміщення (наприклад, гвинтом або зубчастою шестірнею).
2. У позиції 2B кількість осей, які можуть бути одночасно скоординовані для "контурного керування", означає кількість осей, уздовж або навколо яких під час оброблення заготовки здійснюється одночасний та взаємопов'язаний відносний рух заготовки та інструменту. Ця кількість не включає будь-які додаткові осі, вздовж або навколо яких здійснюється інший відносний рух у верстаті. Такі осі включають:
a) системи правки круга в шліфувальних верстатах;
b) паралельні осі обертання, призначені для кріплення окремих заготовок;
c) колінеарні осі обертання, призначені для маніпулювання тією ж заготовкою за рахунок утримання її в патроні з різних кінців.
3. Номенклатура осі визначається відповідно до міжнародного стандарту ISO 841: "Верстати з числовим керуванням - номенклатура осей і різновидів рухів".
4. У цьому розділі термін "нахилені шпинделі" означає осі обертання.
5. Гарантована точність позиціювання, отримана в результаті вимірювань, здійснених відповідно до міжнародного стандарту ISO 230/2 (1997) або його національних еквівалентів, може бути використана для кожної моделі верстатів як альтернатива випробуванням окремих верстатів. Гарантована точність позиціювання означає величину точності, представлену до спеціально уповноважених органів держави як показник точності конкретної моделі верстату.
Порядок визначення гарантованої точності позиціювання:
a) виберіть п'ять верстатів окремої моделі, що повинна бути оцінена;
b) проведіть вимірювання величин точності для лінійних осей відповідно до міжнародного стандарту ISO 230/2 (1997);
c) визначте величину А для кожної осі окремого верстата. Метод обчислення величини А описано у стандарті ISO;
d) визначте гарантовану величину для кожної осі для окремої моделі (Ах, Ау);
е) оскільки в розділі 2 Списку робиться посилання на кожну лінійну вісь, у ньому повинно бути стільки гарантованих величин точності, скільки є лінійних осей;
f) якщо будь-яка з осей моделі верстата, що не підлягає контролю згідно з позиціями 2.B.1.a - 2.B.1.c, має гарантовану величину точності А, що дорівнює 5 мкм для шліфувальних верстатів і 6,5 мкм для фрезерних та токарних верстатів або менше, виробник повинен підтверджувати повторно рівень точності кожні 18 місяців. 

2.B.1.
[2B001]
 

Верстати та будь-які їх комбінації для видалення (або різання) металів, кераміки і "композиційних матеріалів", які відповідно до технічних специфікацій виробника можуть бути оснащені електронними пристроями для "числового керування", та "спеціально призначені компоненти": 

Примітки. 

1. Згідно з позицією 2.B.1 контролю не підлягають верстати спеціального призначення, застосування яких обмежено виготовленням шестерень. Для таких верстатів застосовується позиція 2.B.3.
2. Згідно з позицією 2.B.1 контролю не підлягають верстати спеціального призначення, застосування яких обмежено виготовленням будь-яких таких частин:
a) колінчасті вали або кулачкові вали;
b) інструменти або різці;
c) черв'яки екструдерів; або
d) гравійовані або із скошеними поверхнями деталі ювелірних виробів.
3. Верстати, що мають щонайменше дві з трьох функціональних можливостей - токарна обробка, фрезерування або шліфування (наприклад, токарний верстат, що має функцію фрезерування), повинні оцінюватися згідно з кожною відповідною позицією 2.B.1.a, 2.B.1.b або 2.B.1.c. 

a) токарні верстати, у яких:
1) точність позиціювання вздовж будь-якої лінійної осі з "усіма доступними компенсаціями" дорівнює або менше (краще) ніж 4,5 мкм відповідно до ISO230/2 (1997) або його національного еквівалента; та
2) дві або більше осі, які можуть бути одночасно скоординовані для "контурного керування"; 

з 8458,
з 8464 90,
8465 99 10 00 

Примітка. 

Згідно з позицією 2.B.1.a контролю не підлягають токарні верстати, що спеціально призначені для виробництва контактних лінз і мають такі характеристики:
1) пристрій керування верстатом обмежений використанням офтальмологічного програмного забезпечення з метою введення даних для програм оброблення деталей; та
2) відсутня можливість вакуумного присмоктування. 

b) фрезерні верстати, що мають будь-яку із зазначених нижче характеристик:
1) мають усі зазначені нижче характеристики:
a) точність позиціювання вздовж будь-якої лінійної осі з "усіма доступними компенсаціями" дорівнює або менше (краще) ніж 4,5 мкм відповідно до ISO 230/2 (1997) або його національного еквівалента; та
b) три лінійні осі плюс одна вісь обертання, які можуть бути одночасно скоординовані для "контурного керування"; 

8459 31 00 00,
8459 39 00 00,
8459 51 00 00,
8459 61,
8459 69,
8464,
8465 92 00 00 

2) п'ять або більше осей, які можуть бути одночасно скоординовані для "контурного керування";  

3) точність позиціювання для копіювально-розточувальних верстатів уздовж будь-якої лінійної осі з "усіма доступними компенсаціями" менше (краще) ніж 3 мкм відповідно до ISO 230/2 (1997) або його національного еквівалента; або 

4) верстати для різання матеріалу, що безперервно переміщується, у яких:
а) "радіальне биття" і "кулачковий ефект" шпинделя менше (краще) ніж 0,0004 мм TIR; та
b) кутове відхилення руху ковзання (рискання, перекіс у повздовжньому напрямку і гойдання) менше (краще) ніж 2 секунди дуги, TIR, уздовж шляху переміщення завдовжки 300 мм; 

c) шліфувальні верстати, що мають будь-яку із зазначених нижче характеристик:
1) мають усі зазначені нижче характеристики:
a) точність позиціювання вздовж будь-якої лінійної осі з "усіма доступними компенсаціями" дорівнює або менше (краще) ніж 3 мкм відповідно до ISO 230/2 (1997) або його національного еквівалента; та 

8460 11 00 00,
8460 19 00 00,
8460 21,
8460 29,
8464 20 05 00,
8464 20 20 00,
8464 20 95 00,
8465 93 00 00 

b) три або більше осі, які можуть бути одночасно скоординовані для "контурного керування"; або 

2) п'ять або більше осей, які можуть бути одночасно скоординовані для "контурного керування"; 

Примітка. 

Згідно з позицією 2.B.1.c контролю не підлягають:
1) шліфувальні верстати для оброблення зовнішніх циліндричних, внутрішніх поверхонь, а також комбіновані верстати (для шліфування внутрішніх та зовнішніх поверхонь), які:
a) обмежені циліндричним шліфуванням; та
b) обмежені максимальним зовнішнім діаметром або довжиною заготовки 150 мм;
2) верстати, спеціально спроектовані для шліфування за шаблоном, які не мають z-осі або w-осі, точність позиціонування яких з "усіма доступними компенсаціями" менше (краще) ніж 3 мкм відповідно до ISO 230/2 (1997) або його національного еквівалента;
3) плоскошліфувальні верстати. 

d) верстати для електроіскрового оброблення (EDM) без подачі дроту, що мають дві або більше осей обертання, які можуть одночасно бути скоординовані для "контурного керування"; 

з 845630 

e) верстати для видалення металів, кераміки або "композиційних матеріалів", які мають такі характеристики: 

з 8424 30,
з 8456 10,
8456 91 00 00,
з 8456 99 

1) видалення матеріалу здійснюються за допомогою: 

a) водяних або інших рідинних струменів, включаючи струмені з абразивними добавками;  

b) електронного променя; або 

c) лазерного променя; та 

2) мають дві або більше осей обертання, які:  

a) можуть бути одночасно скоординовані для "контурного керування"; та 

b) мають точність позиціювання менше (краще) ніж 0,003° ; 

f) верстати для свердління глибоких отворів і токарні верстати, які модифіковані для свердління глибоких отворів та забезпечують максимальну глибину їх свердління понад 5000 мм, а також "спеціально призначені компоненти" для них. 

з 8458,
8459 21 00 00 

2.B.2. 

Верстати з числовим програмним керуванням для чистового оброблення оптичних поверхонь, обладнані для вибіркового видалення матеріалу з метою створення несферичних оптичних поверхонь, що мають такі характеристики: 

a) здатні забезпечувати кінцеве оброблення форми до менше (краще) 1 мкм; 

b) здатні забезпечувати кінцеве оброблення до шорсткості менше (краще) 100 нм (середньоквадратичне значення); 

c) чотири або більше осей, які можуть бути одночасно скоординовані для "контурного керування"; та 

d) використовують такі технології:
1) магнітореологічне кінцеве оброблення (MRF-процес);
2) електрореологічне кінцеве оброблення (ERF-процес); або
3) кінцеве оброблення променем часток високої енергії;
4) кінцеве оброблення з допомогою інструмента у вигляді надувної мембрани; або
5) рідинно-струменеве кінцеве оброблення. 

Технічна примітка. 

Для цілей позиції 2.B.2:
1) MRF-процес - це технологія видалення матеріалу за допомогою абразивної магнітної рідини, в'язкість якої контролюється магнітним полем;
2) ERF-процес - це технологія видалення матеріалу з використанням абразивної рідини, в'язкість якої контролюється електричним полем;
3) під час кінцевого оброблення променем часток високої енергії застосовуються реактивні атомні плазми або пучки іонів для вибіркового видалення матеріалу;
4) кінцеве оброблення за допомогою інструмента у вигляді надувної мембрани - технологічний процес, в якому використовується мембрана під тиском, яка деформує виріб під час контакту з ним на невеликій площі;
5) у рідинно-струменевому завершальному обробленні використовується потік рідини для видалення матеріалу. 

2.B.3.
[2B003] 

Верстати з "числовим керуванням" або з ручним керуванням і спеціально розроблені для них "компоненти", обладнання для контролю та оснащення, спеціально розроблені для шевінгування, кінцевого оброблення, шліфування або хонінгування загартованих (Rc = 40 або більше) прямозубих циліндричних, одно- або двозаходових черв'ячних (гвинтових) шестерень з діаметром понад 1250 мм та шириною поверхні зуба, що дорівнює 15 % діаметра або більше, з якістю кінцевого оброблення AGMA 14 або краще (відповідно до міжнародного стандарту ISO 1328 за класом 3). 

8461 40 71 00,
8461 40 79 00 

2.B.4.
[2B004] 

"Ізостатичні преси" для гарячого пресування, що мають все з наведенного нижче, та "спеціально призначені компоненти" для них і допоміжні пристрої: 

з 8462 99 

a) камери з контрольованими тепловими умовами всередині замкненої порожнини з внутрішнім діаметром 406 мм або більше; та 

b) мають будь-що з наведенного нижче: 

1) максимальний робочий тиск понад 207 МПа; 

2) контрольовані температурні умови понад 1773 K (1500° C); або 

3) обладнання для насичення вуглеводнем і виведення газоподібних продуктів розкладу. 

Технічна примітка. 

Внутрішній розмір камери - це робочий розмір камери, яка забезпечує робочий тиск і температуру; до розміру камери не включається розмір затискних пристроїв. Зазначений розмір визначається меншим з двох розмірів: внутрішнього діаметра камери високого тиску або внутрішнього діаметра ізольованої камери печі залежно від того, яка з цих камер розташована в іншій. 

Особлива примітка. 

Щодо спеціально розроблених штампів, форм та інструментів див. позиції 1.B.3, 9.B.9 і ML18 Списку товарів військового призначення, міжнародні передачі яких підлягають державному контролю, затвердженого постановою Кабінету Міністрів України від 20 листопада 2003 р. N 1807. 

2.B.5.
[2B005] 

Обладнання, спеціально призначене для осадження, оброблення та контролю у процесі нанесення неорганічних захисних шарів, покриттів і поверхневих модифікацій, наведених нижче, для неелектронних підкладок за допомогою процесів, зазначених у таблиці та примітках до позиції 2.E.3.f, а також "компоненти", спеціально призначені для автоматизованого регулювання, позиціювання, маніпулювання та управління: 

a) виробниче обладнання для хімічного осадження з парової фази (CVD), що має усі зазначені нижче характеристики:  

8424 20 00 90,
8456 91 00 00,
8456 99 

1) процес, модифікований для будь-якого зазначеного нижче методу: 

a) пульсуючого хімічного осадження з парової фази (CVD); 

b) термічного осадження з керованим зародкоутворенням (CNTD); або 

c) стимульовання плазмою або за допомогою плазми CVD; та 

2) використовує будь-що з наведеного нижче: 

a) високий вакуум (дорівнює або менше ніж 0,01 Па) для ущільнення при обертанні; або 

b) засоби контролю товщини шару покриття безпосередньо у процесі осадження; 

b) виробниче обладнання для іонної імплантації із силою іонного струму 5 мА або більше; 

8456 10 10 00,
8456 10 90 00 

c) виробниче обладнання для електронно-променевого вакуумного нанесення покриттів методом фізичного осадження з парової фази електронним променем (EB-PVD), яке має систему електроживлення з розрахунковою потужністю понад 80 кВт, та мають будь-що з наведеного нижче: 

8456 10 10 00,
8456 10 90 00
 

1) "лазерна" система керування за рівнем випаровувальної ванни, яка точно регулює швидкість подавання матеріалів (злитків) у зону випаровування; або 

2) керований комп'ютером покажчик швидкості випаровування (монітор), який працює за принципом фотолюмінесценції іонізованих атомів у потоці пари, необхідний для контролю швидкості осадження складових покриття, що містить два або більше елементів; 

d) виробниче обладнання для нанесення покриття методом плазмового напилення, яке має будь-яку зазначену нижче характеристику:  

8456 91 00 00,
8456 99

1) працює за умови зниженого тиску контрольованої атмосфери (дорівнює або менше ніж 10 кПа, вимірюваного вище або всередині 300 мм вихідного перерізу сопла плазмового пальника) у вакуумній камері, що здатна забезпечити зниження тиску до 0,01 Па перед початком процесу нанесення; або 

2) містить у своєму складі засоби контролю товщини шару покриття у процесі нанесення; 

e) виробниче обладнання для металізації розпиленням, що здатне забезпечити густину струму 0,1 мА/мм² або більше з продуктивністю напилення 15 мкм/год або більше; 

8456 91 00 00,
8456 99

f) виробниче обладнання для катодно-дугового напилення із системою електромагнітів для керування активною плямою дуги на катоді; 

8515 80 91 00,
8515 80 99 00

g) виробниче обладнання для іонного нанесення покриття, здатне в процесі нанесення вимірювати будь-що з наведеного нижче: 

8456 10 10 00,
8456 10 90 00

1) товщину покриття на підкладці та величину продуктивності; 

2) оптичні характеристики. 

Примітка. 

Згідно з позиціями 2.B.5.a, 2.B.5.b, 2.B.5.e, 2.B.5.f та 2.B.5.g контролю не підлягає обладнання для нанесення покриття методом хімічного осадження з парової фази, катодно-дугового напилення та нанесення методом розпилення, іонного нанесення або іонної імплантації, спеціально призначене для різальних та обробних інструментів. 

2.B.6.
[2B006]  

Системи або обладнання та "електронні збірки", наведені нижче, для вимірювання або контролю за розмірами: 

a) контрольно-вимірювальне обладнання, кероване комп'ютером або з "числовим керуванням", яке має тривимірну (об'ємну) систему з "похибкою вимірювання", що дорівнює або менше (краще) ніж (1,7 + L/1000) мкм (де L - довжина, яка вимірюється в міліметрах), та тестується відповідно до міжнародного стандарту ISO 10360-2 (2001); 

9031 80 31 10,
9031 80 31 90 

b) вимірювальні пристрої для лінійних або кутових переміщень:  

1) вимірювальні пристрої для лінійних переміщень, які мають будь-яку зазначену нижче складову: 

9031 41 00 00,
9031 49 10 00,
9031 49 90 00 

Технічна примітка. 

Для цілей позиції 2.B.6.b.1 "лінійне переміщення" означає відстань між контактною вимірювальною головкою та об'єктом вимірювання. 

a) вимірювальні системи безконтактного типу з "роздільною здатністю", що дорівнює або менше (краще) ніж 0,2 мкм, при діапазоні вимірювань до 0,2 мм; 

b) системи з лінійним регульованим диференційним перетворювачем напруги, які мають: 

1) "лінійність", що дорівнює або менше (краще) ніж 0,1 відсотка, в діапазоні вимірювань до 5 мм; та  

2) відхилення, що дорівнює або менше (краще) ніж 0,1 відсотка на день, за стандартних умов з коливанням навколишньої температури ± 1 K; або 

c) вимірювальні системи, які: 

1) містять "лазер"; та 

2) зберігають протягом принаймні 12 годин при температурі 20 ± 1° C: 

a) "роздільну здатність" на повній шкалі 0,1 мкм або менше (краще); та 

b) здатність досягати "похибки вимірювання" під час компенсації показника переломлення повітря, що дорівнює або менше (краще) ніж (0,2 + L/2000) мкм (L - довжина, що вимірюється в міліметрах); або 

d) "електронні збірки", спеціально призначені для забезпечення функції зворотного зв'язку в системах, що підлягають контролю згідно з позицією 2.B.6.b.1.c; 

Примітка. 

Згідно з позицією 2.B.6.b.1 контролю не підлягають вимірювальні інтерферометричні системи, обладнані системою автоматичного керування, у якій не передбачено використання техніки зворотного зв'язку, що містять "лазер" для вимірювання помилок переміщення рухомих частин верстатів, засобів контролю за розмірами або подібного обладнання. 

2) кутові вимірювальні прилади з "кутовою девіацією", що дорівнює або менше (краще) ніж 0,00025° C; 

9031 41 00 00,
9031 49 10 00,
9031 49 90 00,
з 9031 80 31,
9031 80 91 00 

Примітка. 

Згідно з позицією 2.B.6.b.2 контролю не підлягають оптичні прилади, такі як автоколіматори, що використовують колімоване світло (наприклад, лазерний промінь) для фіксації кутового відхилення дзеркала. 

c) обладнання для вимірювання нерівностей поверхні з використанням оптичного розсіювання як функції кута з чутливістю 0,5 нм або менше (краще). 

9031 41 00 00,
9031 49 10 00,
9031 49 90 00 

Примітка. 

Верстати, що можуть бути використані як вимірювальні машини, підлягають контролю, якщо їх параметри відповідають або перевищують критерії, встановлені для функцій верстатів або вимірювальних машин. 

2.B.7.
[2B007] 

"Роботи", що мають будь-яку із зазначених нижче характеристик, і спеціально спроектовані контролери та "виконавчі механізми" до них: 

8479 50 00 00,
8537 10 10 00,
8537 10 91 00,
8537 10 99 00 

a) здатні в реальному масштабі часу повністю обробляти трьохвимірне зображення або трьохвимірний об'єкт для генерації чи модифікації "програм", або для генерації чи модифікації цифрових даних програми; 

Технічна примітка. 

Обмеження аналізу об'єкта не включають апроксимацію третього виміру шляхом розгляду під заданим кутом або інтерпретації сірої шкали для сприйняття глибини або текстури під час виконання санкціонованих завдань (2 1/2 D).  

b) спеціально розроблені, щоб відповідати національним стандартам безпеки, які застосовуються до потенційно вибухонебезпечного середовища, що містить боєприпаси; 

Примітка. 

Згідно з позицією 2.B.7.b контролю не підлягають "роботи", спеціально призначені для використання в камерах для фарбування розпиленням. 

c) спеціально призначені або нормовані як радіаційностійкі, що витримують більше ніж 5 х 10³ рад (Si) без погіршення робочих характеристик; або 

d) спеціально призначені для операцій, що проводяться на висоті понад 30000 м. 

2.B.8.
[2B008] 

Вузли або блоки, спеціально призначені для верстатів або систем і обладнання для перевірки розмірів або вимірювання:  

a) блоки оцінки лінійного положення із зворотним зв'язком (наприклад, прилади індуктивного типу, калібровані шкали, інфрачервоні системи або "лазерні" системи), які мають повну "точність" менше (краще) ніж [800 + (600 х L х 10^-3)] нм (L - ефективна довжина, яка вимірюється в міліметрах); 

з 8466 

Особлива примітка. 

Щодо "лазерних" систем див. 2.B.6.b.1.c та 2.B.6.b.1.d. 

b) блоки оцінки положення обертання із зворотним зв'язком (наприклад, прилади індуктивного типу, калібровані шкали, інфрачервоні системи або "лазерні" системи), які мають "точність" менше (краще) ніж 0,00025° ; 

з 8466 

Особлива примітка. 

Щодо "лазерних" систем застосовується також примітка до позиції 2.B.6.b. 

c) "комбіновані обертові столи" та "інструментальні шпинделі, що нахиляються", використання яких за специфікацією виробника може модифікувати верстати до рівня, зазначеного у позиції 2.B. 

з 8466 

2.B.9.
[2B009] 

Обкатні вальцювальні та згинальні верстати, які відповідно до технічної специфікації виробника можуть бути обладнані блоками "числового керування" або комп'ютерного керування:  

8462 29 10 00,
8463 90 00 00 

a) з двома або більше осями керування, дві з яких здатні одночасно координуватися для "контурного керування"; та 

b) із зусиллям на обкатному інструменті понад 60 кН. 

Технічна примітка. 

Верстати, у яких поєднані функції обкатних вальцювальних та згинальних верстатів, розглядаються для цілей позиції 2.B.9 як такі, що належать до обкатних вальцювальних верстатів. 

2.C. 

МАТЕРІАЛИ
Відсутні. 

2.D. 

ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ 

2.D.1.
[2D001] 

"Програмне забезпечення", інше, ніж те, що підлягає контролю згідно з позицією 2.D.2, спеціально призначене або модифіковане для "розроблення", "виробництва" або "використання" обладнання, зазначеного в позиціях 2.A або 2.B. 

з 8524 

2.D.2.
[2D002] 

"Програмне забезпечення" для електронних пристроїв, навіть якщо воно вмонтоване в електронний пристрій або систему, яке дає змогу таким пристроям або системам функціонувати як блок "числового керування", здатний одночасно координувати більш як чотири осі для "контурного керування". 

з 8524 

Примітка 1. 

Згідно з позицією 2.D.2 контролю не підлягає "програмне забезпечення", спеціально розроблене або модифіковане для верстатів, які не підлягають контролю згідно з позиціями розділу 2. 

Примітка 2. 

Згідно з позицією 2.D.2 контролю не підлягає "програмне забезпечення" для виробів, що контролюються згідно з позицією 2.B.2. Щодо контролю за "програмним забезпеченням" для виробів, які контролюються згідно з позицією 2.B.2, див. позицію 2.D.1. 

2.E. 

ТЕХНОЛОГІЯ, ПОСЛУГИ ТА РОБОТИ 

2.E.1.
[2E001] 

"Технологія" відповідно до пункту 1 особливих приміток для "розроблення" обладнання або "програмного забезпечення", які підлягають контролю згідно з позиціями 2.A, 2.B або 2.D. 

з 3705,
3706, 8524,
4901 99 00 00,
4906 00 00 00 

2.E.2.
[2E002] 

"Технологія" відповідно до пункту 3 загальних приміток для "виробництва" обладнання, яке підлягає контролю згідно з позиціями 2.A або 2.B. 

з 3705,
3706,8524,
4901 99 00 00,
4906 00 00 00 

2.E.3.
[2E003] 

Інші "технології": 

з 3705,
3706, 8524, 

a) "технологія" для "розроблення" інтерактивної графіки як вбудованої частини блоків "числового керування" для підготовки або модифікації елементів "програм"; 

4901 99 00 00,
4906 00 00 00 

b) "технологія" для виробничих процесів металооброблення: 

1) "технологія" проектування верстатів (інструментів), прес-форм або затискних пристроїв, спеціально призначених для будь-якого з наведених нижче процесів: 

a) "надпластичного формування"; 

b) "дифузійного зварювання"; 

c) "безпосереднього гідравлічного пресування"; 

2) технічні дані, що включають методи або параметри реалізації процесу, які використовуються для керування: 

a) "надпластичним формуванням" алюмінієвих, титанових сплавів або "суперсплавів" включаючи: 

1) підготовку поверхні;
2) швидкість відносної деформації;
3) температуру;
4) тиск;  

b) "дифузійним зварюванням" "суперсплавів" або титанових сплавів, включаючи: 

1) підготовку поверхні;
2) температуру;
3) тиск; 

c) "безпосереднім гідравлічним пресуванням" алюмінієвих або титанових сплавів, включаючи: 

1) тиск;
2) час циклу;  

d) "гарячим ізостатичним модифікуванням" алюмінієвих і титанових сплавів або "суперсплавів", включаючи: 

1) температуру;
2) тиск;
3) час циклу; 

c) "технологія" для "розроблення" або "виробництва" гідравлічних витяжних формувальних машин і відповідних форм для виготовлення корпусних конструкцій літака; 

d) "технологія" для "розроблення" генераторів машинних команд (наприклад, "програм" оброблення деталей) з проектних даних, які розміщуються всередині блоків "числового керування"; 

e) "технологія" для "розроблення" загального "програмного забезпечення" для об'єднаних експертних систем, які збільшують у заводських умовах операційні можливості блоків "числового керування"; 

f) "технологія" використання неорганічного покриття або неорганічного покриття з модифікацією поверхні (зазначених у третій графі "Результуюче покриття" таблиці до цієї позиції) на неелектронних підкладках (зазначених у другій графі "Підкладки" таблиці до цієї позиції) та процесів (зазначених у першій графі "Найменування процесу нанесення покриття" таблиці до цієї позиції та визначених у технічній примітці до таблиці). 

Особлива примітка. 

Таблицю до позиції 2.E.3.f слід використовувати для контролю технології конкретного процесу нанесення покриття тільки у разі, коли "результуюче покриття" у третій графі зазначено прямо напроти відповідної "підкладки" у другій графі. Наприклад, технічні дані процесу осадження для хімічного осадження з парової фази (CVD) контролюються під час використання "силіцидів" на "підкладках", виготовлених "композиційних матеріалів" з вуглець-вуглецевою, керамічною або металевою "матрицею", але не контролюються під час використання "силіцидів" на підкладках, виготовлених з "цементованого карбіду вольфраму" (16) та "карбіду кремнію". У другому випадку "результуюче покриття" не зазначено у цьому параграфі у третій графі прямо напроти параграфа у другій графі, де перелічено "цементований карбід вольфраму" (16) та "карбід кремнію" (18). 

2.E.4. 

"Послуги та роботи" (відповідно до особливої примітки щодо послуг та робіт) стосовно товарів подвійного використання, зазначених у позиціях 2.A, 2.B, 2.D або 2.E. 

Найменування процесу нанесення покриття (1)* 

Підкладки 

Результуюче покриття 

A. 

Хімічне осадження з парової фази (CVD)  

суперсплави 

алюмініди для внутрішніх каналів 

кераміка (19)* та скло з малим коефіцієнтом термічного розширення (14) 

силіциди
карбіди
шари діелектриків (15)
алмази
алмазоподібний вуглець (17) 

____________
* Номер у дужках відповідає номеру примітки до таблиці "Технічні методи осадження покриття". 

вуглець-вуглець
"Композиційні матеріали" (композити) з керамічною та металевою "матрицею" 

силіциди
карбіди
тугоплавкі метали
суміші зазначених
матеріалів (4)
шари діелектриків (15)
алюмініди
леговані алюмініди (2)
нітрид бору 

цементований карбід
вольфраму (16)
карбід кремнію (18) 

карбіди
вольфрам
суміші зазначених
матеріалів (4)
шари діелектриків (15) 

молібден та його сплави 

шари діелектриків (15) 

берилій та його сплави 

шари діелектриків (15)
алмази
алмазоподібні вуглеці (17) 

матеріали вікон датчиків (9) 

шари діелектриків (15)
алмази
алмазоподібні вуглеці (17) 

B. 

Фізичне осадження з парової фази термовипаро-вуванням
(TE-PVD)  

B.1. 

Фізичне осадження з парової фази (PVD) з випаровуванням електронним променем
(EB-PVD) 

суперсплави 

леговані силіциди
леговані алюмініди (2)
MCrAlX (5)
модифіковані види діоксиду цирконію (12)
силіциди
алюмініди
суміші зазначених
матеріалів (4)  

кераміка (19) та скло з малим коефіцієнтом термічного розширення (14) 

шари діелектриків (15) 

корозійностійка сталь (криця) (7) 

MCrAlX (5)
модифіковані види діоксиду цирконію (12)
суміші зазначених
матеріалів (4) 

вуглець-вуглець
"Композиційні" матеріали з керамічною та металевою "матрицею" 

силіциди
карбіди
тугоплавкі метали
суміші зазначених
матеріалів (4)
шари діелектриків (15)
нітрид бору 

цементований карбід вольфраму (16)
карбід кремнію (18) 

карбіди
вольфрам
суміші зазначених
матеріалів (4)
шари діелектриків (15)  

молібден та його сплави 

шари діелектриків (15) 

берилій та його сплави
 

шари діелектриків (15)
бориди
берилій 

матеріали вікон датчиків (9) 

шари діелектриків (15) 

титанові сплави (13) 

бориди
нітриди 

B.2. 

Фізичне осадження з парової фази шляхом резистивного нагрівання (іонне осадження) 

кераміка (19) та скло з малим коефіцієнтом термічного
розширення (14) 

шари діелектриків (15)
алмазоподібні вуглеці (17) 

вуглець-вуглець
"Композиційні" матеріали з керамічною та металевою "матрицею" 

шари діелектриків (15) 

цементований карбід вольфраму (16)
карбід кремнію 

шари діелектриків (15) 

молібден та його сплави 

шари діелектриків (15) 

берилій та його сплави 

шари діелектриків (15) 

матеріали вікон датчиків (9)  

шари діелектриків (15)
алмазоподібні вуглеці (17) 

B.3. 

Фізичне осадження з парової фази (PVD): "лазерним" випаровування 

кераміка (19) та скло з малим коефіцієнтом термічного розширення (14) 

силіциди
шари діелектриків (15)
алмазоподібні вуглеці (17) 

вуглець-вуглець
"Композиційні матеріали" з керамічною та металевою "матрицею" 

шари діелектриків (15) 

цементований карбід вольфраму (16)
карбід кремнію 

шари діелектриків (15) 

молібден та його сплави 

шари діелектриків (15) 

берилій та його сплави 

шари діелектриків (15) 

матеріали вікон датчиків (9) 

шари діелектриків (15)
алмазоподібний вуглець (17) 

B.4. 

Фізичне осадження з парової фази (PVD): катодний дуговий розряд 

суперсплави 

леговані силіциди
леговані алюмініди (2), MCrAlX (5) 

полімери (11) та "Композиційні" матеріали з органічною "матрицею" 

бориди
карбіди
нітриди
алмазоподібні вуглеці (17) 

C. 

Пакова цементація (10) (твердофазне насичення)
(див. "A")  

вуглець-вуглець
"Композиційні матеріали" з керамічною та металевою "матрицею" 

силіциди
карбіди
суміші зазначених
матеріалів (4) 

сплави титану (13) 

силіциди
алюмініди
леговані алюмініди (2) 

тугоплавкі метали та сплави (8) 

силіциди
оксиди 

D. 

Плазмове напилення 

суперсплави 

MCrAlX (5)
модифікований діоксид цирконію (12)
суміші зазначених
матеріалів (4)
ерозійностійкий нікель-графіт
ерозійностійкий нікель-хром-алюміній-бентоніт
ерозійностійкий алюміній-кремній-поліестр
леговані алюмініди (2) 

сплави алюмінію (6) 

MCrAlX (5)
модифікований діоксид цирконію (12)
силіциди
суміші зазначених
матеріалів (4) 

тугоплавкі метали та сплави (8) 

алюмініди
силіциди
карбіди 

корозійностійкі сталі (7) 

MCrAlX (5)
модифікований діоксид цирконію (12)
суміші зазначених
матеріалів (4)  

титанові сплави (13) 

карбіди
алюмініди
силіциди
леговані алюмініди (2)
ерозійностійкий нікель-графіт
ерозійностійкий нікель-хром-алюміній-бентоніт діоксиду цирконію
ерозійностійкий алюміній-кремній-поліестр 

E. 

Шлікерні суспензійні покриття (осадження) 

тугоплавкі метали та сплави (8) 

плавлені силіциди
плавлені алюмініди (крім матеріалів для нагрівних елементів) 

вуглець-вуглець
"Композиційні" матеріали з керамічною та металевою "матрицею" 

силіциди
карбіди
суміші зазначених
матеріалів (4) 

F. 

Нанесення покриттів розпиленням 

суперсплави 

леговані силіциди
леговані алюмініди (2)
алюмініди модифіковані благородними металами (3)
MCrAlX (5)
види модифікованого діоксиду цирконію (12)
платина
суміші зазначених
матеріалів (4) 

кераміка та скло з малим коефіцієнтом розширення (14) 

силіциди
платина
суміші зазначених
матеріалів (4)
шари діелектриків (15)
алмазоподібний вуглець (17) 

титанові сплави (13) 

бориди
нітриди
оксиди
силіциди
алюмініди
леговані алюмініди (2)
карбіди 

вуглець-вуглець
"Композиційні" матеріали з керамічною та металевою "матрицею" 

силіциди
карбіди
тугоплавкі метали
суміші зазначених
матеріалів (4)
шари діелектриків (15)
нітрид бору 

цементований карбід
вольфраму (16)
карбід кремнію (18) 

карбіди
вольфрам
суміші зазначених
матеріалів (4)
шари діелектриків (15)
нітрид бору 

молібден та його сплави 

шари діелектриків (15) 

берилій та його сплави 

бориди
шари діелектриків (15)
берилій 

матеріали вікон
датчиків (9) 

шари діелектриків (15)
алмазоподібний вуглець (17) 

тугоплавкі метали та сплави (8) 

алюмініди
силіциди
оксиди
карбіди 

G. 

Іонна імплантація 

термостійкі
шарикопідшипникові сталі 

поверхневе легування
хромом,
танталом або
ніобієм (коламбієм) 

титанові сплави (13) 

бориди
нітриди 

берилій та його сплави 

бориди 

цементований карбід
вольфраму (16)  

карбіди
нітриди 

Примітки до таблиці "Технічні методи осадження покриття" 

1. 

Процес покриття включає як нанесення нового покриття, так і ремонт та поновлення існуючого. 

2. 

Процес покриття легованими алюмінідами включає одностадійний або багатостадійний процес нанесення покриття, під час якого елемент або елементи осаджуються до або під час отримання алюмінідного покриття, навіть якщо ці елементи додаються за допомогою іншого процесу. Проте зазначений процес не включає багаторазове використання одноступеневих процесів пакової цементації для отримання покриття на основі легованих алюмінідів. 

3. 

Процес покриття алюмінідами, модифікованими благородними металами, включає багатоступеневий процес нанесення покриття, під час якого благородний метал або благородні метали були нанесені раніше будь-яким іншим способом до отримання покриття легованими алюмінідами. 

4. 

Суміші включають інфільтруючий матеріал, градієнтні композиції, присадки та багатошарові матеріали, які використовуються під час одного або кількох процесів отримання покриття, зазначеного у таблиці. 

5. 

"MCrAlX" відповідає складному сплаву покриття, де "M" означає кобальт, залізо, нікель або їх комбінації, а "X" означає гафній, ітрій, кремній, тантал у будь-якій кількості, або інші спеціальні домішки у кількості понад 0,01 вагового % у різноманітних пропорціях та комбінаціях, крім:
a) CoCrAlY - покриття, яке має менш як 22 вагових % хрому, менш як 7 вагових % алюмінію та менш як 2 вагових % ітрію;
b) CoCrAlY - покриття, яке має 22 - 24 вагових % хрому, 10 - 12 вагових % алюмінію та 0,5 - 0,7 вагового % ітрію;
c) NiCrAlY - покриття, яке має 21 - 23 вагових % хрому, 10 - 12 вагових % алюмінію та 0,9 - 1,1 вагового % ітрію. 

6. 

Сплави алюмінію - сплави з граничним показником міцності на розрив 190 МПа або більше, які визначено при температурі 293 K (20° C). 

7. 

Корозійностійка сталь - сталь, яка відповідає вимогам стандарту серії 300 (AISI) Американського інституту заліза та сталі або вимогам відповідних національних стандартів. 

8. 

До тугоплавких металів та сплавів належать такі метали та їх сплави: ніобій (коламбій в США), молібден, вольфрам і тантал. 

9. 

Матеріали вікон датчиків - це оксид алюмінію, кремній, германій, сульфід цинку, селенід цинку, арсенід галію, алмаз, фосфід галію, сапфір та такі галогеніди металів: фторид цирконію і фторид гафнію - для вікон датчиків діаметром понад 40 мм. 

10. 

На "технологію" для одноступеневих процесів пакової цементації суцільних лопаток турбін не поширюються обмеження згідно з розділом 2. 

11. 

Полімери включають поліімід, поліестр, полісульфід, полікарбонати та поліуретани. 

12. 

Модифікований діоксид цирконію - це діоксид цирконію з додаванням оксидів інших металів (таких як оксиди кальцію, магнію, ітрію, гафнію, рідкоземельних металів) для стабілізації відповідних кристалографічних фаз та фаз зміщення. Термозахисне покриття діоксидом цирконію, модифіковане оксидом кальцію або оксидом магнію шляхом змішування або розплаву, контролю не підлягає. 

13. 

Титанові сплави - лише аерокосмічні сплави з граничним показником міцності на розрив 900 МПа або більше, визначеним при температурі 293 K (20° C). 

14. 

Скло з малим коефіцієнтом термічного розширення - скло, що має коефіцієнт температурного розширення 1 х 10^-7 K^-1 або менше, визначений при температурі 293 K (20° C). 

15. 

Діелектричні шарові покриття належать до багатошарових ізоляційних матеріалів, у яких комбінація інтерференційних властивостей матеріалів з різноманітними коефіцієнтами рефракції використовується для відбиття, передачі або поглинання хвиль різноманітних діапазонів. До діелектричних шарових покриттів належать ті, що складаються з чотирьох або більше шарів діелектрика або шарових "композицій" діелектрик/метал. 

16. 

Цементований карбід вольфраму не містить інструментальних матеріалів, які застосовуються для різання та механічної обробки і складаються з карбіду вольфраму/(кобальт-нікелю), карбіду титану/(кобальт-нікелю), карбіду хрому/нікель-хрому і карбіду хрому/нікелю. 

17. 

"Технологія", спеціально розроблена для осадження алмазоподібного вуглецю на будь-що з наведеного нижче, не підлягає контролю, а саме:
накопичувачі на магнітних дисках і магнітні головки, обладнання для виробництва разової тари, клапани для кранів, акустичні діафрагми для гучномовців, деталі двигунів для автомобілів, різальний інструмент, матриці для пресування та вирубні штампи, офісне автоматизоване обладнання, мікрофони, медичні пристрої або пресформи для литва або формування пластмаси, виготовлені із сплавів з вмістом берилію менш як 5 %. 

18. 

Карбід кремнію не містить матеріали для виготовлення різального або формувального інструменту. 

19. 

Керамічні підкладки в цій позиції не включають керамічні матеріали, що містять 5 вагових % або більше глини чи цементу, незалежно від того, чи є вони окремим складовим "компонентом", чи входять у керамічні матеріали, в їх комбінації. 

Технічні примітки до таблиці "Технічні методи осадження покриття" 

Процеси, зазначені у графі "Найменування процесу нанесення покриття", визначаються таким способом: 

a. Хімічне осадження з парової фази (CVD) - це процес нанесення зовнішнього покриття або покриття з модифікацією поверхні, що покривається, в якому метал, сплав, "композиційний" матеріал, діелектрик або кераміка наносяться на нагріту підкладку (основу). Газоподібні реагенти розпадаються або сполучаються на поверхні виробу, внаслідок чого на ній утворюються потрібні елементи, сплави або хімічні сполуки. Енергія для такого розпаду або хімічної реакції може бути забезпечена нагріванням підкладки плазмовим розрядом або променем "лазера". 

Особливі примітки. 

1. Хімічне осадження з парової фази (CVD) включає такі процеси: безпакетне нанесення покриття прямим газовим струменем, газоциркуляційне хімічне осадження, кероване зародження центрів конденсації при термічному осадженні (CNTD) або хімічне осадження з парової фази (CVD) з використанням плазми.
2. Пакет - підкладка (основа), занурена в порошкову суміш.
3. Газоподібні реагенти, що використовуються у безпакетному процесі, можна отримати за допомогою базових реакцій та параметрів, які використовуються при і цементації, за винятком, коли підкладка, на яку наноситься покриття, не має контакту із сумішшю порошків. 

b. Фізичне осадження з парової фази термовипаровуванням (TE-PVD) - це процес зовнішнього покриття виробу у вакуумі під тиском менш як 0,1 Па, коли джерело теплової енергії використовується для перетворення на пару матеріалу, що наноситься, внаслідок чого частки матеріалу, що випаровується, конденсуються або осаджуються на підкладку. 

Напускання газів у вакуумну камеру в процесі осадження для створення складного покриття є звичайною модифікацією процесу. 

Використання іонних або електронних променів або плазми для активації або сприяння нанесенню покриття є також звичайною модифікацією цього процесу. Використання моніторів для забезпечення вимірювання оптичних характеристик або товщини покриття під час процесу може бути характерною особливістю таких процесів. 

Специфіка процесу TE-PVD за допомогою резистивного нагрівання полягає у тому, що:  

1) при ЕВ-PVD для нагрівання та випаровування матеріалу, який формує покриття на поверхні виробу, використовується електронний промінь; 

2) при PVD з резистивним нагріванням, яке здатне забезпечити контрольований та рівномірний (однорідний) потік пари матеріалу покриття, використовується електричний опір;
3) під час випаровування "лазером" для випаровування матеріалу, що формує покриття, використовується імпульсний або безперервний "лазерний" промінь; 

4) у процесі покриття за допомогою катодної дуги використовується витрачуваний катод з матеріалу, що формує покриття та створює розряд дуги на поверхні катода після миттєвого контакту із заземленим пусковим пристроєм (тригером). Контрольований рух дуги призводить до ерозії поверхні катода та виникнення високоіонізованої плазми. Анод може бути конічним та розташовуватися по периферії катода через ізолятор або сама камера може бути анодом. Для нанесення покриття на підкладку, що розташована не на лінії, використовується зміщення напруги; 

Особлива примітка. 

Зазначений у підпункті 4 процес не стосується нанесення покриття довільною катодною дугою без зміщення напруги.  

5) іонне покриття - це спеціальна модифікація загального TE-PVD процесу, у якому плазмове або іонне джерело використовується для іонізації часток, що наносяться як покриття, а негативне зміщення напруги прикладається до підкладки, що сприяє осадженню складових матеріалів покриття з плазми. Введення активних реагентів, випаровування твердих матеріалів у камері, а також використання моніторів, які забезпечують вимірювання (у процесі нанесення покриття) оптичних характеристик та товщини покриття, є звичайними модифікаціями процесу. 

c. Порошкове цементування - модифікація методу нанесення покриття на поверхню або процес нанесення виключно зовнішнього покриття, коли підкладка занурена в суміш порошків (пак), що складається з:
1) металевих порошків, які входять до складу покриття (зазвичай алюміній, хром, кремній або їх комбінація);
2) активатора (здебільшого галоїдна сіль); та
3) інертної пудри (найчастіше - оксид алюмінію).
Підкладка та суміш порошків утримуються всередині реторти, яка нагрівається від 1030 K (+757° C) до 1375 K (+1102° C) на час, який достатній для нанесення покриття. 

d. Плазмове напилення - процес нанесення зовнішнього покриття, коли плазмова гармата (пальник напилення), у якій утворюється і керується плазма, використовує порошок або дріт з матеріалу покриття, розплавляє їх та спрямовує на підкладки, в яких формується інтегрально зв'язане покриття. Плазмове напилення може ґрунтуватися на напиленні плазмою низького тиску або високошвидкісною плазмою.  

Особливі примітки. 

1. Низький тиск - це тиск, нижчий за атмосферний.
2. Високошвидкісна плазма визначається швидкістю газу на зрізі сопла понад 750 м/с, розрахованої при температурі 293 K (20° C) та тиску 0,1 МПа. 

e. Осадження із суспензії - процес нанесення покриття з модифікацією поверхні, що покривається, коли металевий або керамічний порошок з органічною сполучною речовиною суспензований в рідині та наноситься на підкладку за допомогою напилення, занурення або фарбування з наступним повітряним або пічним сушінням та термічною обробкою для отримання необхідних властивостей покриття. 

f. Осадження розпиленням - процес нанесення зовнішнього покриття, який ґрунтується на феномені передачі кількості руху, коли позитивні іони прискорюються в електричному полі в напрямку до поверхні мішені (підкладки виробу, що покривається). Кінетична енергія ударів іонів достатня для визволення атомів на поверхні мішені та їх осадження на підкладку. 

Особливі примітки. 

1. У таблиці наведені відомості тільки щодо тріодного, магнетронного або реактивного осадження розпиленням, які застосовуються для збільшення адгезії матеріалу покриття та швидкості його нанесення, а також щодо радіочастотного підсилення напилення, яке використовується під час нанесення пароутворювальних неметалевих матеріалів для покриття.
2. Низькоенергетичні іонні промені (менше ніж 5 КеВ) можуть бути використані для прискорення (активації) процесу нанесення покриття. 

g. Іонна імплантація - це процес нанесення покриття з модифікацією поверхні виробу, у якому легуючий елемент іонізується, прискорюється системою з градієнтом потенціалу та імплантується на поверхню підкладки. До процесів з іонною імплантацією належать і процеси, де іонна імплантація здійснюється одночасно під час електронно-променевого осадження або осадження розпилюванням. 

Технічна термінологія, що використовується в таблиці технічних методів осадження покриття 

Технічна інформація про таблицю технічних засобів осадження покриття використовується у разі потреби. 

1. 

Спеціальна термінологія, яка застосовується в "технологіях" для попереднього оброблення підкладок, зазначених у таблиці:
a) параметри хімічного зняття покриття та очищення у ванні:
1) склад розчину у ванні:
a) для усунення старого та пошкодженого покриття, продуктів корозії або сторонніх відкладень;
b) для приготування чистих підкладок;
2) час оброблення у ванні;
3) температура ванни;
4) кількість та послідовність циклів миття;
b) візуальні та макроскопічні критерії для визначення ступеня очищення або повноти очисної дози;
c) параметри циклів термічного оброблення:
1) атмосферні параметри:
a) склад атмосфери;
b) атмосферний тиск;
2) температура термічної обробки;
3) тривалість термічної обробки;
d) параметри підготовки підкладок:
1) параметри піскоструминного очищення:
a) склад часток;
b) розмір та форма часток;
c) швидкість подачі часток;
2) час та послідовність циклів очищення після піскоструминного очищення;
3) параметри кінцевого оброблення поверхні;
4) використання зв'язувальних для посилення адгезії;
e) технічні параметри маскування:
1) матеріал маски;
2) розміщення маски. 

2. 

Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях", які забезпечують якість покриття для засобів, зазначених у таблиці:
a) атмосферні параметри:
1) склад атмосфери;
2) атмосферний тиск;
b) часові параметри;
c) температурні параметри;
d) параметри товщини;
e) коефіцієнт параметрів заломлення;
f) контроль складу покриття. 

3. 

Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях", які використовуються після нанесення покриття на підкладку, зазначену в таблиці:
a) параметри дробоструминної обробки:
1) склад дробу;
2) розмір дробу;
3) швидкість подавання дробу;
b) параметри очищення після обробки дробом;
c) параметри циклу термічної обробки:
1) атмосферні параметри:
a) склад атмосфери;
b) атмосферний тиск;
2) температурно-часові цикли;
d) візуальні та макроскопічні критерії під час приймання покритих підкладок. 

4. 

Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях" для визначення технічних прийомів, які гарантують якість покриття підкладок, зазначених у таблиці:
a) критерії статистичного відбіркового контролю;
b) мікроскопічні критерії для:
1) збільшення покриття;
2) рівномірності товщини покриття;
3) цілісності покриття;
4) складу покриття;
5) зчеплення покриття та підкладки;
6) мікроструктурної однорідності;
c) критерії для проведення оцінки оптичних властивостей (вимірювані як функція довжини хвилі):
1) відбивна властивість;
2) прозорість;
3) поглинання;
4) розсіювання. 

5. 

Спеціальна термінологія, що застосовується в "технологіях" та параметрах, пов'язаних із специфічним покриттям та з процесами видозмінювання поверхні, зазначеними в таблиці:
a) для хімічного осадження з парової фази (CVD):
1) склад та формування джерела покриття;
2) склад несучого газу;
3) температура підкладки;
4) температурно-часові цикли та цикли тиску;
5) контроль газу та маніпулювання деталями;
b) для термічного випарювання - фізичного осадження з парової фази (PVD):
1) склад зливка або джерела матеріалу покриття;
2) температура підкладки;
3) склад активного газу;
4) швидкість подавання зливків або швидкість випаровування матеріалу;
5) температурно-часові цикли та цикли тиску;
6) маніпуляція променем та деталлю;
7) параметри "лазера":
a) довжина хвилі;
b) щільність потужності;
c) тривалість імпульсу;
d) періодичність імпульсів;
e) джерело;
c) для твердофазного осадження:
1) склад обмазки та формування;
2) склад несучого газу;
3) температурно-часові цикли та цикли тиску;
d) для плазмового напилення:
1) склад порошку, підготовка та розподіл розмірів;
2) склад та параметри газу, що подається;
3) температура підкладки;
4) параметри потужності плазмової гармати;
5) дистанція напилення;
6) кут напилення;
7) склад покривного газу, тиск та швидкість потоку;
8) контроль за гарматою та маніпуляцією деталями;
e) для осадження розпиленням:
1) склад та спосіб виробництва мішені;
2) геометричне регулювання положення деталей та мішені;
3) склад хімічно активного газу;
4) високочастотне підмагнічування (електричне зміщення);
5) температурно-часові цикли та цикли тиску;
6) потужність тріода;
7) маніпулювання деталлю;
f) для іонної імплантації:
1) контроль променя та маніпулювання деталлю;
2) елементи конструкції джерела іонів;
3) техніка контролю за іонним променем та параметрами швидкості осадження;
4) температурно-часові цикли та цикли тиску;
g) для іонного покриття:
1) контроль за променем та маніпулюванням деталлю;
2) елементи конструкції джерела іонів;
3) техніка контролю за іонним променем та параметрами швидкості осадження;
4) температурно-часові цикли та цикли тиску;
5) швидкість подавання покривного матеріалу та швидкість випаровування;
6) температура підкладки;
7) параметри електричного зміщення підкладки. 

Номер позиції 

Найменування та опис товарів за відповідними групами 

Код товару згідно з УКТЗЕД 

3. 

ЕЛЕКТРОНІКА  

3.A. 

СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ  

Примітки. 

1. Контрольний статус обладнання та "компонентів", зазначених у позиції 3.A, інших, ніж описані у позиціях 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.10 або 3.A.1.a.12, які спеціально призначені або мають такі функціональні характеристики, як і інше обладнання, визначається контрольним статусом іншого обладнання.
2. Контрольний статус інтегральних схем, зазначених у позиціях 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.9 або 3.A.1.a.12, програми яких не можуть бути змінені або які призначені для виконання конкретних функцій для іншого обладнання, визначається контрольним статусом іншого обладнання.
3. Контрольний статус обладнання та "компонентів", зазначених у розділі 3, які спеціально розроблені або безпосередньо можуть бути використані для виконання функцій "захисту інформації", визначається з урахуванням критеріїв, зазначених у частині 2 розділу 5 (Захист інформації). 

Особлива примітка. 

Якщо виробник або заявник не може визначити статус контролю за іншим обладнанням, то цей статус визначається статусом контролю за інтегральними схемами, зазначеними в позиціях 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.9 або 3.A.1.a.12.  

3.A.1.
[3A001] 

Електронні "компоненти" та спеціально призначені "компоненти" для них: 

a) інтегральні мікросхеми загального призначення:  

Примітки. 

1. Контрольний статус готових пластин або напівфабрикатів, на яких відтворена конкретна функція, визначається параметрами, зазначеними у позиції 3.A.1.a.
2. Інтегральні схеми включають такі типи:
"монолітні інтегральні схеми";
"гібридні інтегральні схеми";
"багатокристалічні інтегральні схеми";
"плівкові інтегральні схеми", включаючи інтегральні схеми типу кремній на сапфірі;
"оптичні інтегральні схеми". 

1) інтегральні схеми, спроектовані або класифіковані виробником як радіаційно стійкі для того, щоб витримати будь-що з наведеного нижче: 

з 8542 

a) загальну дозу 5 х 10³ рад (кремній) або вище; 

b) межу потужності дози 5 х 10⁶ рад (кремній)/секунда або вище; 

c) флюенс (інтегральна густота потоку) нейтронів (еквівалент 1 Ме-В) 5 х 10¹³ нейтронів/см² або вище на кремнії, або його еквівалент для інших матеріалів; 

Примітка. 

Позиція 3.A.1.a.1.c не застосовується до структур метал-діелектрик-напівпровідник (MIS). 

2) "мікросхеми мікропроцесора", "мікросхеми мікрокомп'ютера", мікросхеми мікроконтролера, інтегральні схеми пам'яті, виготовлені із складного напівпровідника, перетворювачі з аналогової форми у цифрову, перетворювачі з цифрової форми в аналогову, електрооптичні або "оптичні інтегральні схеми", призначені для "оброблення сигналів", логічні пристрої з експлуатаційним програмуванням, інтегральні схеми нейронної мережі, інтегральні схеми на замовлення, для яких не відома або функція, або стан контролю обладнання, у якому буде використана інтегральна схема, процесори швидкого перетворення Фур'є (FFT), програмована постійна пам'ять із стиранням електричним струмом (EEPROMs), імпульсна пам'ять або статична пам'ять з довільною вибіркою (SRAMs), які мають будь-яку з наведених нижче характеристик: 

з 8542 

a) працездатні при температурі навколишнього середовища понад 398 K (+125° C); 

b) працездатні при температурі навколишнього середовища нижче 218 K (-55° C);  

c) працездатні за межами діапазону температур навколишнього середовища від 218 K (-55° C) до 398 K (+125° C); 

3) "мікросхеми мікропроцесора", "мікросхеми мікрокомп'ютера" і мікросхеми мікроконтролерів, які виготовлені з напівпровідникових з'єднань та працюють з тактовою частотою понад 40 МГц; 

з 8542 

Примітка. 

У позиції 3.A.1.a.3 зазначені процесори цифрових сигналів, цифрові матричні процесори і цифрові співпроцесори. 

4) інтегральні схеми пам'яті, виготовлені на основі напівпровідникових з'єднань; 

з 8542 

5) інтегральні схеми аналого-цифрових та цифро-аналогових перетворювачів: 

з 8542 

a) аналого-цифрові перетворювачі, які мають будь-яку з наведених нижче характеристик: 

1) роздільну здатність 8 біт або більше, але меншу ніж 10 біт при швидкості виведення даних більш як 500 млн. слів за секунду; 

2) роздільну здатність 10 біт або більше, але меншу ніж 12 біт при швидкості виведення даних більш як 200 млн. слів за секунду; 

3) роздільну здатність 12 біт при швидкості виведення даних більше ніж 105 млн. слів за секунду; 

4) роздільну здатність більшу ніж 12 біт, але дорівнює або менше ніж 14 біт, при швидкості виведення даних більш як 10 млн. слів за секунду; або 

5) роздільну здатність більше ніж 14 біт при швидкості виведення даних більш як 2,5 млн. слів за секунду; 

b) цифро-аналогові перетворювачі з роздільною здатністю 12 біт або більше та "часом установлення" менш як 10 нс; 

Технічні примітки. 

1. Роздільна здатність n біт відповідає 2ⁿ рівням квантування.
2. Кількість біт у виведеному слові дорівнює роздільній здатності аналого-цифрового перетворювача.
3. Швидкість виведення даних є максимальною швидкістю виведення даних перетворювача незалежно від архітектури або надлишкової дискретизації (вибірки). Постачальники можуть також посилатись на швидкість виведення даних як на частоту дискретизації, швидкість перетворення або пропускну здатність. Вона зазвичай визначається у мегагерцах (МГц) або мегавибірках за секунду (MSPS).
4. Для цілей вимірювання швидкості виведення даних одне виведене слово за секунду є еквівалентом одного Герца або однієї вибірки за секунду. 

6) електронно-оптичні або "оптичні інтегральні схеми" для "оброблення сигналів", які мають: 

a) один внутрішній "лазерний" діод або більше; 

з 85421 

b) один внутрішній світлочутливий елемент або більше; та 

c) оптичні хвилеводи; 

7) пристрої, що програмуються користувачем, які мають одну з наведених нижче характеристик: 

з 8542 

a) максимальну кількість цифрових входів/виходів більшу як 200; або 

b) кількість вентилів системи понад 230000; 

Примітка. 

Позиція 3.A.1.a.7 включає:
прості програмовані логічні пристрої (SPLD);
складні програмовані логічні пристрої (CPLD);
вентильні матриці з можливістю програмування користувачем (FPGA);
логічні матриці з можливістю програмування користувачем (FPLA);
схеми з'єднань з можливістю програмування користувачем (FPIC). 

Технічна примітка. 

1. Логічні пристрої з можливістю програмування користувачем, відомі також як вентильні або логічні матриці з можливістю програмування користувачем.
2. Максимальною кількістю входів/виходів, зазначених у позиції 3.A.1.a.7.a, називають також максимальну кількість входів/виходів користувача або максимально доступну кількість входів/виходів як для корпусних, так і для безкорпусних інтегральних схем. 

8) не використовується з 1999 року; 

9) інтегральні схеми для нейронних мереж; 

з 8542 

10) інтегральні схеми на замовлення, функція яких не відома, або контрольний статус обладнання, у якому використовуватимуться зазначені інтегральні схеми, не відомі виробнику, що мають будь-яку з наведених нижче характеристик: 

з 8542 30 

a) більш ніж 1500 терміналів; 

b) типовий "час затримки поширення базового логічного елемента" менш як 0,02 нс; або 

c) робочу частоту понад 3 ГГц; 

11) цифрові інтегральні схеми, що відрізняються від зазначених у позиціях 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.10 та 3.A.1.a.12, які створені на основі будь-якого складного напівпровідника і мають будь-яку з наведених нижче характеристик: 

8542 13 99 00,
8542 14 99 00,
8542 19 98 00,
8542 12 00 00 

a) еквівалентну кількість вентилів понад 3000 (у перерахунку на двовходові); або 

b) частоту перемикання понад 1,2 ГГц; 

12) процесори швидкісного перетворення Фур'є (FFT), які мають номінальний час виконання для N-позначкового комплексного швидкісного перетворення Фур'є менш як (N log₂)/20480 мкс, де N - кількість позначок; 

з 8542, 8543 

Технічна примітка. 

Якщо N дорівнює 1024 позначкам, формула у позиції 3.A.1.a.12 визначає час виконання 500 мкс. 

b) прилади мікрохвильового та міліметрового діапазону: 

1) електронні вакуумні лампи та катоди: 

Примітка 1. 

Згідно з позицією 3.A.1.b.1 контролю не підлягають лампи, призначені або нормовані для роботи у будь-якому діапазоні частот, який відповідає наведеним нижче характеристикам:
a) максимальна робоча частота якого не перевищує 31,8 ГГц; та
b) є "виділеним Міжнародним союзом електрозв'язку" (ITU) для надання послуг радіозв'язку, але не для радіовизначення. 

Примітка 2. 

Згідно з позицією 3.A.1.b.1 контролю не підлягають
"не придатні для використання в космосі" лампи, які відповідають наведеним нижче характеристикам:
a) середня вихідна потужність дорівнює або менше ніж 50 Вт; та
b) призначені або класифіковані для роботи в будь-якому діапазоні частот, який відповідає наведеним нижче характеристикам:
1) вище 31,8 ГГц, але не перевищує 43,5 ГГц; та
2) є "виділеним Міжнародним союзом електрозв'язку" (ITU) для надання послуг радіозв'язку, але не для радіовизначення. 

a) лампи біжучої хвилі імпульсної або безперервної дії: 

8540 79 00 00 

1) з робочою частотою понад 31,8 ГГц; 

2) які мають елемент підігрівання катода з часом від моменту включення до виходу лампи на номінальну радіочастотну потужність менше ніж 3 с; 

3) лампи із сполученими резонаторами або їх модифікації з "відносною шириною смуги частот" понад 7 % або з піковою потужністю понад 2,5 кВт; 

4) спіральні лампи або їх модифікації, які мають одну з наведених нижче характеристик: 

a) "миттєва ширина смуги частот" становить понад 1 октаву і добуток номінальної середньої вихідної потужності (у кВт) на максимальну робочу частоту (у ГГц) становить понад 0,5; 

b) "миттєва ширина смуги частот" становить 1 октаві або менше і добуток номінальної середньої вихідної потужності (у кВт) на максимальну робочу частоту (у ГГц) становить понад 1; або 

c) "придатні для використання в космосі"; 

b) лампи - підсилювачі магнетронного типу з коефіцієнтом підсилення понад 17 дБ; 

8540 71 00 00 

c) імпрегновані катоди для електронних ламп, які виробляють густину струму при безперервній емісії за штатних умов експлуатації понад 5 А/см²; 

8540 79 00 00 

2) підсилювачі потужності на монолітних інтегральних схемах мікрохвильового діапазону (MMIC), що мають будь-яку з наведених нижче характеристик: 

8542 

a) працюють на частотах понад 3,2 ГГц до 6 ГГц включно з середньою вихідною потужністю більше ніж 4 Вт (36 дБм) і "відносною шириною смуги частот" більше ніж 15 %; 

b) працюють на частотах понад 6 ГГц до 16 ГГц включно з середньою вихідною потужністю більше ніж 1 Вт (30 дБм) і "відносною шириною смуги частот" більше ніж 10 %; 

c) працюють на частотах понад 16 ГГц до 31,8 ГГц включно з середньою вихідною потужністю більше ніж 0,8 Вт (29 дБм) і "відносною шириною смуги частот" більше ніж 10 %; 

d) працюють на частотах понад 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включно; 

e) працюють для роботи на частотах понад 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включно з середньою вихідною потужністю більше ніж 0,25 Вт (24 дБм) і "відносною шириною смуги частот" більше ніж 10 %; або 

f) працюють на частотах понад 43,5 ГГц; 

Примітки. 

1. Згідно з позицією 3.A.1.b.2 контролю не підлягає обладнання радіомовних супутників, призначене або нормоване для роботи в діапазоні частот від 40,5 до 42,5 ГГц.
2. Контрольний статус ММІС, номінальна робоча частота якого включає частоти, перелічені в більш ніж одному діапазоні частот, визначених у позиціях 3.A.1.b.2.a - 3.A.1.b.2.f, визначається нижчим середнім значенням вихідної потужності.
3. Примітки 1 та 2 в заголовку розділу 3 означають, що згідно з позицією 3.A.1.b.2 контролю не підлягають MMIC, якщо вони спеціально призначені для інших застосувань, наприклад, у телекомунікаційному зв'язку, РЛС, автомобілях. 

3) дискретні мікрохвильові транзистори, які мають будь-яку з наведених нижче характеристик: 

8541 

a) працюють на частотах понад 3,2 ГГц до 6 ГГц включно і мають середню вихідну потужність більше ніж 60 Вт (47,8 дБм); 

b) працюють на частотах понад 6 ГГц до 31,8 ГГц включно і мають середню вихідну потужність більше ніж 20 Вт (43 дБм); 

c) працюють на частотах понад 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включно і мають середню вихідну потужність більше ніж 0,5 Вт (27 дБм); 

d) працюють на частотах понад 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включно і мають середню вихідну потужність більше ніж 1 Вт (30 дБм); або 

e) працюють на частотах понад 43,5 ГГц; 

Примітка. 

Контрольний статус транзистора, номінальна робоча частота якого включає частоти, перелічені в більш ніж одному діапазоні частот, зазначених у позиціях 3.A.1.b.3.a - 3.A.1.b.3.e, визначається нижчим середнім показником вихідної потужності. 

4) мікрохвильові твердотільні підсилювачі та мікрохвильові збірки/модулі, які містять мікрохвильові підсилювачі, що мають будь-яку з наведених нижче характеристик: 

8543 

a) працюють на частотах понад 3,2 ГГц до 6 ГГц включно з середньою вихідною потужністю більше ніж 60 Вт (47,8 дБм) і "відносною шириною смуги частот" більше ніж 15 %; 

b) працюють на частотах понад 6 ГГц до 31,8 ГГц включно з середньою вихідною потужністю більше ніж 15 Вт (42 дБм) і "відносною шириною смуги частот" більше ніж 10 %; 

c) працюють на частотах понад 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включно; 

d) працюють на частотах понад 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включно з середньою вихідною потужністю більше ніж 1 Вт (30 дБм) і "відносною шириною смуги частот" більше ніж 10 %; 

e) працюють на частотах понад 43,5 ГГц; або  

f) працюють на частотах понад 3,2 ГГц і мають такі характеристики:  

1) середню вихідну потужність (у ватах) більше ніж 150, поділених на максимальну робочу частоту (у Гігагерцах) у квадраті [P > 150 Вт х ГГц²/f_ГГц²]; 

2) відносну ширину смуги частот 5 % або більше; та 

3) будь-які дві сторони, перпендикулярні одна одній, мають довжину d (в сантиметрах), що дорівнює або менше ніж 15 см поділених на найменшу робочу частоту у Гігагерцах [d Ј 15 см х ГГц/f_ГГц]; 

Технічна примітка. 

3,2 ГГц слід використовувати як найнижчу робочу частоту (fГГц) у формулі, наведеній у позиції 3.A.1.b.4.f.3. для підсилювачів з розрахованим робочим діапазоном, що розширюється до 3,2 ГГц і нижче [d Ј 15 см * ГГц/3,2 ГГц]. 

Особлива примітка. 

Контрольний статус підсилювачів потужності на MMIC слід оцінювати за критеріями, зазначеними у позиції 3.A.1.b.2. 

Примітки. 

1. Згідно з позицією 3.A.1.b.4 контролю не підлягає обладнання радіомовних супутників, призначене або нормоване для роботи в діапазоні частот від 40,5 до 42,5 ГГц.
2. Контрольний статус виробу, номінальна робоча частота якого включає частоти, перелічені в більш ніж одному діапазоні частот, зазначених у позиціях 3.A.1.b.4.a - 3.A.1.b.4.e, визначається нижчим середнім значенням вихідної потужності. 

5) смугові або загороджувальні фільтри з електронним або магнітним налагодженням, які мають понад 5 налагоджувальних резонаторів, що забезпечують налагодження в смузі частот, з відношенням максимальної та мінімальної частот 1,5:1 менше ніж за 10 мкс і мають будь-яку з наведених нижче характеристик: 

8529 

a) смугу частот пропускання, що становить понад 0,5 % резонансної частоти; або 

b) смугу загородження, що становить менш як 0,5 % резонансної частоти; 

6) не використовується з 2003 року; 

8529 

7) перетворювачі та змішувачі на гармоніках, призначені для розширення частотного діапазону обладнання, зазначеного в позиціях 3.A.2.c, 3.A.2.d, 3.A.2.e або 3.A.2.f, за межі порогових значень, зазначених у цих позиціях; 

8) мікрохвильові підсилювачі потужності, які містять електронно-вакуумні прилади, що підлягають контролю згідно з позицією 3.A.1.b.1, і мають: 

з 8540 71 

a) робочу частоту понад 3 ГГц; 

b) відношення середньої густини вихідної потужності до маси понад 80 Вт/кг; та 

c) об'єм, менший ніж 400 см³; 

Примітка. 

Згідно з позицією 3.A.1.b.8 контролю не підлягає обладнання, призначене або нормоване для роботи у будь-якій смузі, що є "виділеною Міжнародним союзом електрозв'язку (ITU)" для надання послуг радіозв'язку, але не для радіовизначення. 

9) мікрохвильові силові модулі (МСМ), що складаються, принаймні, з лампи біжучої хвилі, мікрохвильової монолітної інтегральної схеми та вбудованого електронного стабілізатора потужності та мають такі характеристики: 

a) час вмикання від вимкненого до повністю робочого стану - менше ніж 10 секунд; 

b) об'єм менший ніж максимальна номінальна потужність (Вт), помножена на 10 см³/Вт; та 

c) "миттєва ширина смуги частот" більше ніж 1 октава (f_max > 2f_min,) та будь-що з наведеного нижче:
1) для частот 18 ГГц і менше - вихідна потужність ВЧ-сигналу понад 100 Вт; або
2) частота понад 18 ГГц. 

Технічні примітки. 

1. Нижче наведено приклад для обчислення об'єму у позиції 3.A.1.b.9.b. У разі максимальної номінальної потужності 20 Вт об'єм дорівнюватиме 20 Вт х 10 см³/Вт = 200 см³.
2. Час вмикання у позиції 3.A.1.b.9.a. означає час від вимкненого до повністю робочого стану, тобто включає час входження МСМ у режим. 

10) осцилятори або зборки осциляторів, призначені для роботи з усіма наведеними нижче характеристиками: 

a) фазовий шум однієї бокової смуги (SSB) в одиницях дБн/Гц, краще ніж - (126 + 20log₁₀F - 20log₁₀f) для 10 Гц < F < 10 кГц; та 

b) фазовий шум однієї бокової смуги (SSB) в одиницях дБн/Гц, краще ніж - (114 + 20log₁₀F - 20log₁₀f) для 10 кГц < F < 500 кГц. 

Технічна примітка. 

У позиції 3.A.1.b.10. F - зміщення від робочої частоти у Гц, а f - робоча частота у МГц. 

c) прилади на акустичних хвилях та "спеціально призначені компоненти" для них: 

1) прилади на поверхневих акустичних хвилях і акустичних хвилях у тонкій підкладці, які мають одну з таких характеристик: 

8541 60 00 00 

a) несуча частота понад 6 ГГц; 

b) несуча частота понад 1 ГГц, але не більше 6 ГГц, і мають будь-яку з характеристик: 

1) "частотне заглушення бокових пелюстків діаграми направленості" понад 65 дБ; 

2) добуток максимального часу затримки (у мкс) і "миттєвої ширини смуги частот" (у МГц) понад 100; 

3) "миттєва ширина смуги частот" понад 250 МГц; 

4) затримка розсіювання понад 10 мкс; 

c) несуча частота, яка дорівнює 1 ГГц або менше і має одну з характеристик: 

1) добуток максимального часу затримки (у мкс) і "миттєвої ширини смуги частот" (у МГц) понад 100; 

2) затримка розсіювання понад 10 мкс; 

3) "частотне заглушення бокових пелюстків діаграми направленості" понад 65 дБ та ширина смуги частот понад 100 МГц; 

Технічна примітка. 

"Частотне заглушення бокових пелюстків діаграми направленості" - максимальне значення затухання, визначене у довіднику. 

2) прилади на об'ємних акустичних хвилях, що забезпечують безпосереднє "оброблення сигналів" на частотах понад 6 ГГц; 

8541 60 00 00 

3) акустооптичні прилади "оброблення сигналів", які використовують взаємодію між акустичними хвилями (об'ємними чи поверхневими) і світловими хвилями, що забезпечує безпосереднє "оброблення сигналів" або зображення, включаючи аналіз спектра, кореляцію або згортку; 

8541 60 00 00 

Примітка. 

Згідно з позицією 3.A.1.c. контролю не підлягають прилади на акустичних хвилях, використання яких обмежене фільтруванням простої смуги, низькочастотним фільтруванням, високочастотним фільтруванням, вузькосмуговим режекторним фільтруванням або резонансною функцією. 

d) електронні прилади або схеми, які містять елементи, виготовлені з "надпровідних" матеріалів, спеціально спроектовані для роботи при температурах, нижчих від "критичної температури" хоча б для однієї з "надпровідних" складових, і мають одну з таких ознак: 

8542 50 00 00 

1) наявність струмових перемикачів для цифрових схем, які використовують "надпровідні" вентилі, в яких добуток часу затримки на вентиль (у секундах) і розсіювання потужності на вентиль (у ватах) нижче ніж 10^-14 Дж;  

2) забезпечення селекції частоти на всіх діапазонах частот з використанням резонансних контурів з добротністю більш як 10000; 

e) прилади високої енергії: 

1) елементи: 

a) первинні елементи з густиною енергії понад 550 Вт год/кг при 20° C; 

з 8506 60,
8506 80,
8540 10 10 00 

b) вторинні елементи з густиною енергії понад 250 Вт год/кг при 20° C; 

з 8506 60,
8506 80,
8540 10 10 00 

Технічна примітка. 

1. Для цілей позиції 3.A.1.e.1 густина енергії (Вт год/кг) обчислюється шляхом множення номінальної напруги на номінальну ємність в ампер-годинах і ділення добутку на масу у кілограмах. Якщо номінальну ємність не зазначено, густина енергії обчислюється шляхом множення квадрату номінальної напруги на тривалість розряду в годинах і ділення добутку на навантаження розряду в омах та на масу у кілограмах.
2. Для цілей позиції 3.A.1.e.1 елемент визначається як електрохімічний пристрій, що має позитивний та негативний електроди і електроліт, та є джерелом електричної енергії. Елемент є основним функціональним блоком батареї.
3. Для цілей позиції 3.A.1.e.1 первинний елемент є елементом, який не призначений для зарядження будь-яким іншим джерелом.
4. Для цілей позиції 3.A.1.e.1 вторинний елемент є елементом, який призначений для зарядження зовнішнім електричним джерелом. 

Примітка.  

Згідно з позицією 3.A.1.e. контролю не підлягають батареї, зокрема одноелементні. 

2) накопичувачі великої енергії: 

a) накопичувачі енергії з частотою повторення менше ніж 10 Гц (одноразові накопичувачі), що мають такі характеристики: 

з 8506 60,
8506 80,
8540 10 10 00 

1) номінальну напругу не менше ніж 5 кВ; 

2) густину енергії не менше ніж 250 Дж/кг; та 

3) загальну енергію не менше ніж 25 кДж; 

b) накопичувачі енергії з частотою повторення 10 Гц і більше (багаторазові накопичувачі), які мають: 

з 8506 60,
8506 80,
8540 10 10 00 

1) номінальну напругу не менше ніж 5 кВ; 

з 8507 80 

2) густину енергії не менше ніж 50 Дж/кг; 

3) загальну енергію не менше ніж 100 Дж; та 

4) кількість циклів заряду-розряду не менше ніж 10 000; 

3) "надпровідні" електромагніти та соленоїди, спеціально спроектовані на повне заряджання або розряджання менше ніж за 1 секунду, які мають: 

8505 19 90 00 

Примітка. 

Згідно з позицією 3.A.1.e.3 контролю не підлягають "надпровідні" електромагніти або соленоїди, спеціально призначені для медичної апаратури магніторезонансної томографії (MRI). 

a) максимальну енергію під час розряду понад 10 кДж за першу секунду; 

b) внутрішній діаметр струмопровідних обмоток понад 250 мм; та 

c) номінальну магнітну індукцію понад 8 Т або "сумарну густину струму" в обмотці понад 300 А/мм²; 

4) сонячні елементи, збірки корпусів міжз'єднань елементів (КМЕ), панелі сонячних батарей та сонячні батареї, "придатні для використання в космосі" та мають мінімальний середній коефіцієнт корисної дії понад 20 % при робочій температурі 301 K (28° C) в умовах імітованого освітлення AM0 з опроміненням 1367 Вт/м². 

Технічна примітка. 

AM0, або нульова повітряна маса, означає спектральну щільність потоку сонячного випромінювання на зовнішній атмосфері Землі, де відстань між Землею та Сонцем становить одну астрономічну одиницю (АО). 

f) обертові перетворювачі абсолютного кутового положення вала в кут, які мають точність, рівну або меншу (кращу) ніж ± 1 кутова секунда; 

9031 80 31 10,
9031 80 31 90,
8502 40 

g) твердотільні імпульсні силові тиристорні перемикачі та тиристорні модулі, в яких застосовуються методи перемикання з електричним, оптичним або електронно-емісійним керуванням, що мають будь-яку з наведених нижче характеристик: 

1) максимальну швидкість наростання відмикаючого струму (di/dt) понад 30000 А/мкс, а напругу у замкненому стані понад 1100 В; або 

2) максимальну швидкість наростання відмикаючого струму (di/dt) понад 2000 А/мкс та всі наведені нижче характеристики: 

a) пікова напруга у замкненому стані дорівнює або більше 3000 В; та
b) піковий (ударний) струм дорівнює або більше 3000 А; 

Примітка 1. 

Позиція 3.A.1.g включає:
кремнієві керовані діоди (ККД);
електричні пускові тиристори (ЕПТ);
пускові фототиристори (ОПТ);
інтегральні вентильні комутовані тиристори (ІВКТ);
тиристори з вентилями, що запираються (ТВЗ);
МОП-керовані тиристори;
солідтрони. 

Технічна примітка. 

Для цілей позиції 3.A.1.g тиристорний модуль містить один тиристорний пристрій або більше. 

h) твердотільні напівпровідникові перемикачі потужності, діоди або модулі, які мають такі характеристки: 

1) максимальну номінальну робочу температуру переходу більше ніж 478 K (215° C); 

2) максимальну періодичну напругу в закритому стані (блокуючу напругу) понад 300 В; та 

3) тривало допустимий струм більше ніж 1 А. 

Примітка 1. 

Максимальна періодична напруга в закритому стані, зазначена в позиції 3.A.1.h, включає напругу стік-виток, напругу коллектор-емитер, максимальну періодичну зворотну напругу та максимальну періодичну напругу в закритому стані. 

Примітка 2. 

Пункт 3.A.1.h включає:
польові транзистори з управляючим p-n-переходом (JFET);
польові транзистори з вертикальним управляючим
p-n-переходом (VJFET);
польові транзистори із структурою метал-оксид-напівпровідник (MOSFET);
польові транзистори із структурою метал-оксид-напівпровідник, виготовлені методом подвійної дифузії (DMOSFET);
біполярні транзистори з ізольованим затвором (IGBT);
транзистори з високою рухомістю електронів (HMET);
біполярні площинні транзистори (BJT);
тиристори та кремнієві керовані діоди (SCR);
тиристори з комутованим затвором (GTO);
тиристори з вимкненням емітера (ETO);
регульовані резистивні діоди;
діоди Шотткі. 

Примітка 3. 

Згідно з позицією 3A001.h. контролю не підлягають перемикачі, діоди або модулі, що входять до складу в обладнання, призначеного для застосування у цивільних автомобілях, на цивільній залізниці або у "цивільних літальних апаратах". 

Технічна примітка. 

Відповідно до позиції 3.A.1.h модуль містить один або більше твердотільних силових напівпровідникових вимикачів або діодів. 

3.A.2.
[3A002] 

Електронна апаратура загального призначення: 

а) записувальна апаратура і спеціально призначена для неї вимірювальна стрічка: 

8520 32 99 00 

1) накопичувачі на магнітній плівці для аналогової апаратури, включаючи накопичувачі з можливістю запису цифрових сигналів (тобто, що використовують модуль цифрового запису високої щільності (HDDR), які мають одну з наведених нижче характеристик: 

a) смугу частот понад 4 МГц на електронний канал або доріжку; 

b) смугу частот понад 2 МГц на електронний канал або доріжку при кількості доріжок понад 42; або 

c) помилку непогодження змінної шкали, виміряну із застосуванням документів Асоціації електронної промисловості (EIA) або IRIG, менше ніж ± 0,1 мкс; 

Примітка. 

Аналогові магнітофони, спеціально створені для цілей цивільного відео, не вважаються накопичувачами на плівці. 

2) цифрові відеомагнітофони, які мають максимальну роздільну здатність цифрового інтерфейсу понад 360 Мбіт/с; 

з 8521 10,
8521 90 00 00 

Примітка. 

Згідно з позицією 3.A.2.a.2 контролю не підлягають цифрові стрічкові відеомагнітофони, спеціально спроектовані для телевізійного запису з використанням форми сигналу, що може включати форму стисненого сигналу за стандартами або рекомендаціями Міжнародного союзу електрозв'язку (ITU), Міжнародної електротехнічної комісії (IEC), Спілки кіно- та телевізійних інженерів (SMPTE), Європейського союзу радіомовлення (EBU), Європейського інституту стандартів зв'язку (ETSI) або Інституту інженерів - спеціалістів у галузі електротехніки та електроніки (ІЕЕЕ), для цивільного телебачення. 

3) накопичувачі на магнітній плівці для цифрової апаратури, що використовує методи спірального сканування або фіксованих магнітних головок, які мають одну з таких характеристик: 

з 8521 10 

а) максимальна пропускна здатність цифрового інтерфейсу понад 175 Мбіт/с; або 

b) за технічними умовами "придатні для використання в космосі"; 

Примітка. 

Згідно з позицією 3.A.2.a.3 контролю не підлягають аналогові накопичувачі на магнітній плівці, оснащені електронікою для перетворення в цифровий запис високої щільності (HDDR) та призначені для запису лише цифрових даних. 

4) апаратура з максимальною пропускною здатністю цифрового інтерфейсу понад 175 Мбіт/с, призначена для перетворення цифрових відеомагнітофонів у пристрої запису даних цифрової апаратури; 

8521 90 00 00 

5) цифрові перетворювачі форми хвилі та перехідні реєстратори, які мають: 

з 8543 

a) швидкість цифрового перетворення, що дорівнює або більше ніж 200 млн. операцій за секунду з роздільною здатністю 10 біт або більше; та 

b) безперервну пропускну здатність 2 Гбіт/с і більше; 

Технічна примітка. 

1. Для зазначених приладів з паралельною шиною швидкість безперервної пропускної здатності є добутком найбільшого обсягу слів на кількість біт у слові.
2. Безперервна пропускна здатність - це найвища швидкість, з якою прилад може виводити дані в накопичувач без втрати інформації та водночас підтримувати швидкість вимірювання та функцію аналого-цифрового перетворення. 

6) накопичувачі для цифрової апаратури, що використовують методи накопичення на магнітних дисках, які мають: 

a) швидкість цифрового перетворення, що дорівнює або більше ніж 100 млн. операцій за секунду та роздільну здатність 8 біт або більше; та 

b) безперервну пропускну здатність 1 Гбіт/с або більше;  

b) "електронні збірки" "синтезаторів частоти", які мають "час перемикання частоти" з однієї на іншу менше ніж 1 мс; 

з 8543,
8570 10 90 00
 

Примітка. 

Статус контролю за аналізаторами сигналів, генераторами сигналів, мережевими аналізаторами і приймачів-тестерів мікрохвильового діапазону як автономних приладів визначається відповідно позиціями 3.A.2.c., 3.A.2.d., 3.A.2.e. та 3.A.2.f. 

c) "Аналізатори сигналів" радіочастоти, наведені нижче: 

з 8543,
8570 10 90 00 

1) "аналізатори сигналів", які здатні аналізувати частоти понад 31,8 ГГц, але не більше ніж 37,5 ГГц, та мають ширину смуги частот з роздільною здатністю 3 дБ (RBW), що перевищує 10 МГц; 

2) "аналізатори сигналів", здатні аналізувати частоти понад 43,5 ГГц; 

3) "динамічні аналізатори сигналів" із "шириною смуги частот у реальному масштабі часу" понад 500 кГц. 

Примітка. 

Згідно з позицією 3.A.2.c.3 контролю не підлягають "динамічні аналізатори сигналів", які використовують тільки фільтри із смугою пропускання фіксованих частот (відомі також під назвою октавних або фракційних октавних фільтрів); 

d) генератори сигналів синтезаторів частот, які формують вихідні частоти з керуванням за параметрами точності, короткочасної та довгочасної стабільності, на основі або за допомогою внутрішнього задавального генератора еталонної частоти і мають одну з наведених нижче характеристик: 

8543 20 00 00 

1) максимальна синтезована частота понад 31,8 ГГц, але не вище 43,5 ГГц, та нормована для генерації імпульсів тривалістю менше ніж 100 нс; 

2) максимальна синтезована частота понад 43,5 ГГц; 

3) "час перемикання частоти" з однієї заданої частоти на іншу відповідно до одного з наведених нижче варіантів: 

a) менше ніж 312 пікосекунд;
b) менше ніж 100 мкс для будь-якого частотного вікна більше 1,6 ГГц в діапазоні синтезованих частот вище 3,2 ГГц, але не вище 10,6 ГГц;
c) менше ніж 250 мкс для будь-якого частотного вікна більше 550 МГц в діапазоні синтезованих частот вище 10,6 ГГц, але не вище 31,8 ГГц;
d) менше ніж 500 мкс для будь-якого частотного вікна більше 550 МГц в діапазоні синтезованих частот вище 31,8 ГГц, але не вище 43,5 ГГц; або
c) менше 1 мс в діапазоні синтезованих частот вище 43,5 ГГц, або 

4) максимальна синтезована частота понад 3,2 ГГц і мають все із зазначеного; 

a) фазовий шум однієї бокової смуги (SSB) в одиницях дБм/Гц, краще ніж - (126 + 20log₁₀F - 20log₁₀f) для 10 Гц < F < 10 кГц; та 

b) фазовий шум однієї бокової смуги (SSB) в одиницях дБм/Гц, краще ніж - (114 + 20log₁₀F - 20log₁₀f) для 10 кГц < F < 500 кГц. 

Технічна примітка. 

В позиції 3.A.2.d.4 F є компенсацією робочої частоти у Гц і f є робоча частота у МГц. 

Примітки. 

1. Для цілей позиції 3.A.2.d термін "генератори сигналів синтезаторів" означає генератори довільної форми сигналу та функції.
2. Згідно з позицією 3.A.2.d контролю не підлягає обладнання, у якому вихідна частота створюється шляхом додавання або віднімання частот з двох або більше кварцових генераторів чи шляхом додавання або віднімання з наступним множенням результуючої частоти. 

Технічні примітки. 

1. Генератори довільної форми сигналу та функції зазвичай характеризуються частотою вибірки (наприклад, гігавиборок за секунду), яка перетворюється у радіочастотну область за допомогою коефіцієнта Найквіста, що дорівнює 2. Тобто довільна форма сигналу з частотою 1 гігавибірка за секунду має здатність безпосередньо забезпечити вихідну частоту 500 МГц. Або, якщо застосовується передискредитація, максимальна вихідна частота буде пропорційно нижче.
2. "Тривалість імпульсу" для позиції 3.A.2.d.1 визначається як проміжок часу між переднім фронтом імпульсу, який досягає 90 % максимуму, і заднім фронтом імпульсу, який досягає 10 % максимуму; 

e) мережеві аналізатори з максимальною робочою частотою понад 43,5 ГГц; 

з 8543,
8470 10 90 00 

f) приймачі-тестери мікрохвильового діапазону, які мають усі наведені нижче характеристики: 

8527 90 98 00 

1) максимальну робочу частоту понад 40 ГГц; 

2) здатні одночасно вимірювати амплітуду та фазу; 

g) атомні еталони частоти: 

8543 20 00 00 

1) "придатні для використання в космосі"; 

2) що не є рубідієвими та мають довготривалу стабільність (старіння) менше (краще) 1 х 10-¹¹/місяць; або 

3) не "придатні для використання в космосі" та мають усі наведені нижче характеристики: 

a) є рубідієвими еталонами; 

b) довготривала стабільність (старіння) менше (краще) 1 х 10^-11/місяць; та 

c) сумарна потужність, що споживається, менше 1 Вт. 

Примітка. 

Згідно з позицією 3.A.2.g.1 контролю не підлягають рубідієві еталони, не "придатні для використання в космосі". 

3.A.3 

Системи терморегулювання з охолодженням шляхом розбризкування, що використовують обладнання із замкнутим контуром для маніпулювання рідиною та її регенерації в герметичній оболонці, в якій діелектрична рідина розбризкується на електронні "компоненти" з використанням спеціально призначених розпилювачів, спроектовані таким чином, щоб підтримувати температуру електронних "компонентів" у межах їх робочого температурного діапазону, а також "спеціально призначені компоненти" для них.  

з 8424 

3.B 

ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА 

3.B.1
[3B001] 

Обладнання для виробництва напівпровідникових приладів або матеріалів, наведене нижче, і спеціально створені "компоненти" та оснащення для них: 

a) обладнання для епітаксійного вирощування: 

1) обладнання, здатне виробляти шар будь-якого матеріалу, крім кремнію, з відхиленням товщини не більше ніж ± 2,5 % на довжині 75 мм або більше. 

з 8419 89 

Примітка. 

До позиції 3.B.1.a.1 відноситься обладнання для епітаксії атомних шарів (ALE); 

2) обладнання хімічного осадження з металоорганічної парової фази (MOCVD), спеціально розроблене для вирощування кристалів складних напівпровідників за допомогою хімічних реакцій між матеріалами, зазначене у позиціях 3.C.3 або 3.C.4; 

з 8419 89 

3) молекулярно-променеве обладнання епітаксійного вирощування, у якому застосовані газові або твердотільні джерела; 

з 8419 89 

b) обладнання для іонної імплантації, яке має одну з наведених нижче характеристик: 

8456 10 10 00,
8456 10 90 00 

1) енергія пучка (прискорювальна напруга) понад 1 МеВ; 

2) спеціально спроектоване та оптимізоване для функціонування при енергії пучка (прискорювальній напрузі) менше ніж 2 кеВ; 

3) здатне до безпосереднього запису; або 

4) призначене для високоенергетичної імплантації кисню в нагріту "підкладку" напівпровідникового матеріалу з енергією пучка 65 кеВ або більше і струмом пучка 45 мА або більше; 

c) обладнання для сухого травлення анізотропною плазмою: 

з 8456 99,
8456 91 00 00 

1) з покасетним обробленням пластин та подачею їх через завантажувальні шлюзи, яке має одну з наведених нижче характеристик: 

a) призначене або оптимізоване для створення критичних розмірів 180 нм або менше з точністю ± 5 % (3 сигма); або 

b) призначене для генерації менше ніж 0,04 частки/см² з вимірюваним розміром частки більше ніж 0,1 мм у діаметрі; 

2) обладнання, спеціально спроектоване для обладнання, яке підлягає контролю за позицією 3.B.1.e та має одну з наведених нижче характеристик: 

a) призначене або оптимізоване для створення критичних розмірів 180 нм або менше з точністю ± 5 % (3 сигма); 

b) призначене для генерації менше ніж 0,04 частки/см² з вимірюваним розміром частки більше ніж 0,1 мм у діаметрі; 

d) обладнання для хімічного осадження з парової фази (CVD) та плазмової стимуляції: 

з 8456 99,
8456 91 00 00 

1) обладнання з покасетним обробленням пластин і подачею їх через завантажувальні шлюзи, спроектоване відповідно до технічних умов виробника або оптимізоване для використання у виробництві напівпровідникових приладів з критичними розмірами 180 нм або менше; 

2) обладнання, спеціально спроектоване для апаратури, яка підлягає контролю згідно з позицією 3.B.1.e, і спроектоване відповідно то технічних умов виробника або оптимізоване для використання у виробництві напівпровідникових приладів з критичними розмірами 180 нм або менше; 

e) багатокамерні системи з центральним автоматичним завантаженням напівпровідникових пластин, що мають усі наведені нижче характеристики: 

8456 10 10 00,
8456 10 90 00,
з 8456 99,
8456 91 00 00 

1) інтерфейси для завантаження та вивантаження пластин, до яких повинні приєднуватися більше ніж дві одиниці обладнання для оброблення напівпровідників; 

2) призначені для комплексної системи послідовного багатопозиційного оброблення пластин у вакуумі; 

Примітка. 

Згідно з позицією 3.B.1.e контролю не підлягають автоматичні робототехнічні системи завантаження пластин, не призначених для роботи у вакуумі;  

f) обладнання літографії: 

9009 22 90 00 

1) обладнання багаторазового суміщення та експонування (безпосередньо на "підкладці") або обладнання крокового сканування для оброблення пластин методами фотооптичної або рентгенівської літографії, яке має будь-яку з наведених нижче характеристик: 

a) наявність джерела освітлення з довжиною хвилі коротшою ніж 245 нм; або 

b) спроможність виробляти зразки з мінімальним визначеним типовим розміром 180 нм або менше; 

Технічна примітка. 

Мінімальний визначений типовий розмір можна розрахувати за формулою:
 ,
де K фактор = 0,45, а MRF - мінімальний визначений типовий розмір. 

2) обладнання друкованої літографії, здатне виробляти малюнок з типовим розміром 180 нм або менше. 

Примітка. 

Позиція 3.B.1.f.2 включає:
мікроконтактні друкарські верстати;
верстати гарячого тиснення;
верстати друкованої літографії з нанометровою роздільною здатністю;
верстати друкованої літографії з мультиплікацією (S-FIL). 

3) обладнання, спеціально призначене для виробництва шаблонів або виготовлення напівпровідникових приладів з використанням методів безпосереднього формування малюнка, що має всі наведені нижче характеристики:  

8456 10 10 00,
8456 10 90 00 

a) використовує такий, що відхиляється, сфокусований електронний, іонний або "лазерний" пучок; та 

b) має будь-яку з наведених нижче характеристик: 

1) розмір плями менше ніж 0,2 мкм; 

2) здатність виробляти малюнок з мінімальним розміром розділення менше ніж 1 мкм; або 

3) точність суміщення шарів краще ± 0,2 мкм (3 сигма); 

g) шаблони (маски) або фотошаблони для інтегральних схем, що підлягають контролю згідно з позицією 3.A.1; 

9010 90 10 00,
9010 90 90 00 

h) багатошарові шаблони (маски) з фазозсувним шаром; 

9010 90 10 00,
9010 90 90 00 

Примітка. 

Згідно з позицією 3.B.1.h контролю не підлягають багатошарові маски з фазозсувним шаром, призначені для виробництва запам'ятовувальних пристроїв, які не контролюються згідно з позицією 3.A.1. 

i) шаблони для друкованої літографії, призначені для інтегральних схем, які контролюються згідно з позицією 3.A.1. 

3.B.2.
[3B002] 

Обладнання для випробувань, спеціально призначене для випробувань готових або напівфабрикатних напівпровідникових приладів і спеціально створені "компоненти" та аксесуари до нього: 

9031 80 39 10,
9031 80 39 90 

a) для вимірювання S-параметрів транзисторних приладів на частотах понад 31,8 ГГц;  

b) не використовується з 2004 року; 

c) для випробувань мікрохвильових інтегральних схем, що контролюються згідно з позицією 3.A.1.b.2. 

3.C. 

МАТЕРІАЛИ 

3.C.1.
[3C001] 

Гетероепітаксійні матеріали, що складаються з підкладки та кількох послідовно нанесених епітаксійних шарів, які мають будь-яку з наведених нижче складових: 

3818 00 90 00 

a) кремній; 

b) германій;  

c) карбід кремнію; або 

d) сполуки III/V галію або індію. 

3.C.2.
[3C002] 

Матеріали резистів і підкладки, наведені нижче, покриті резистами, що підлягають контролю: 

a) позитивні резисти, призначені для напівпровідникової літографії, спеціально пристосовані для використання довжиною хвилі менше ніж 245 нм; 

8541 40 99 00 

b) усі резисти, призначені для використання під час експонування електронними та іонними пучками, з чутливістю 0,01 мкКл/мм² або краще; 

8541 40 99 00 

c) усі резисти, призначені для використання рентгенівського випромінювання, з чутливістю 2,5 мДж/ мм² або краще; 

8541 40 99 00 

d) усі резисти, оптимізовані для технології формування малюнка, включаючи силіційовані резисти; 

8541 40 99 00 

e) усі резисти, призначені або оптимізовані для використання з обладнанням для літографічного друку, зазначеним у позиції 3.B.1.f.2, що використовує термічний технологічний процес або процес твердіння під дією світла. 

Технічна примітка. 

Методи силіціювання - це процеси, які включають оксидування поверхні резисту для підвищення якості мокрого та сухого проявлення. 

3.C.3.
[3C003] 

Органо-неорганічні сполуки: 

a) металоорганічні сполуки на основі алюмінію, галію або індію, які мають чистоту металевої основи понад 99,999 %; 

з 2931 00 95,
2931 00 95 00 

b) органо-арсенові, органо-сурм'янисті та органо-фосфорні сполуки, які мають чистоту основи неорганічного елемента понад 99,999 %. 

з 2931 00 95 

Примітка. 

Контролю за позицією 3.C.3 підлягають тільки ті сполуки, металеві, частково металеві або неметалеві елементи яких безпосередньо пов'язані з вуглецем органічної частки молекули. 

3.C.4.
[3C004] 

Гідриди фосфору, арсену або сурми, які мають чистоту понад 99,999 % навіть після розведення інертними газами або воднем. 

2848 00 00 00,
2850 00 10 00 

Примітка.  

Згідно з позицією 3.C.4 контролю не підлягають гідриди, що містять 20 % або більше молей інертних газів чи водню.  

3.C.5. 

"Підкладки" з карбіду кремнію (SiC), нітриду галію (GaN), нітриду галію-алюмінію (AlGaN) або злитки, булі, або інші преформи цих матеріалів, що мають питомий опір понад 10000 Ом-см при 20° C. 

3.C.6. 

"Підкладки", зазначені в позиції 3.C.5, які мають щонайменше один епітаксиальний шар з карбіду кремнію, нітриду галію, нітриду алюмінію або нітриду галію-алюмінію. 

3.D.  

ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ 

3.D.1.
[3D001] 

"Програмне забезпечення", спеціально створене для "розроблення" або "виробництва" обладнання, що підлягає контролю згідно з позиціями 3.A.1.b - 3.A.2.g або 3.B. 

з 8524 

3.D.2.
[3D002] 

"Програмне забезпечення", спеціально призначене для "використання" обладнання, що підлягає контролю згідно з позицями 3.B.1.a - 3.B.2. 

з 8524 

3.D.3.
[3D003] 

"Програмне забезпечення" для заснованого на фізичних процесах моделювання, спеціально призначене для "розроблення" процесів літографії, травлення або осадження з метою втілення маскувальних шаблонів у конкретні топологічні малюнки провідників, діелектриків або напівпровідникових матеріалів. 

з 8524 

Технічна примітка. 

Термін "заснований на фізичних процесах" у позиції 3.D.3 означає використання розрахунків з метою визначення послідовності причин та наслідків фізичного характеру, які визначаються фізичними властивостями (наприклад, температурою, тиском, коефіцієнтами дифузії і властивостями напівпровідникових матеріалів). 

Примітка. 

Бібліотеки, проектні атрибути або супутні дані для проектування напівпровідникових приладів чи інтегральних схем розглядаються як "технологія". 

3.D.4.
[3D004] 

Програмне забезпечення, спеціально призначене для "розроблення" обладнання, що підлягає контролю згідно з позицією 3.A.3. 

з 8524
з 8471 70 

3.E. 

ТЕХНОЛОГІЯ, ПОСЛУГИ ТА РОБОТИ 

3.E.1.
[3E001] 

"Технологія" відповідно до пункту 1 особливих приміток для "розроблення" або "виробництва" обладнання чи матеріалів, що підлягають контролю згідно з позиціями 3.A, 3.B або 3.C. 

з 3705,
3706, 8524,
4901 99 00 00,
4906 00 00 00 

Примітки. 

1. Згідно з позицією 3.E.1 контролю не підлягає "технологія" для "виробництва" обладнання або "компонентів", які контролюються згідно з позицією 3.A.3.
2. Згідно з позицією 3.E.1 контролю не підлягає "технологія" для "розроблення" або "виробництва" інтегральних схем, що контролюються згідно з позиціями 3.A.1.a.3 - 3.A.1.a.12 і мають усі наведені нижче характеристики:
a) використовують "технології" 0,5 мкм або вище; та
b) не містять багатошарові структури. 

Технічна примітка. 

Термін багатошарові структури не включає прилади, які містять максимум три шари металу та три шари полікремнію. 

3.E.2.
[3E002] 

"Технологія" відповідно до пункту 1 особливих приміток інша, ніж та, що контролюється згідно з позицією 3.E.1 для "розроблення" або "виробництва" "мікросхем мікропроцесорів", "мікросхем мікрокомп'ютерів" та ядер мікросхем мікроконтролерів, що мають арифметично-логічний пристрій з шириною доступу 32 біта або більше та будь-яку з наведених нижче ознак або характеристик: 

з 3705,
3706, 8524,
з 8471 70
4901 99 00 00,
4906 00 00 00 

a) блок векторного процесора, призначений виконувати два або більше обчислень з векторами з плаваючою крапкою (одномірна матриця 32 біт або більшим числом біт) одночасно; 

Технічна примітка. 

"Блок векторного процесора" - це елемент процесора з вбудованими командами, який одночасно виконує множину обчислень з векторами з плаваючою крапкою (одномірні матриці з 32 біт або більшим числом біт), який має щонайменше один векторний арифметично-логічний пристрій; 

b) здатний давати більше двох 64 біт або з більшим числом біт результатів операцій з плаваючою крапкою за цикл; або 

c) здатний давати більше чотирьох 16 біт результатів множення з накопиченням з фіксованою крапкою (наприклад, цифрові маніпуляції з аналоговою інформацією, яку було попередньо перетворено у цифрову форму - процес, відомий також як цифрове оброблення сигналів). 

Примітки. 

1. Згідно з позицією 3.E.2.c контролю не підлягають технології для розширення мультимедійних засобів.
2. Згідно з позицією 3.E.2.c контролю не підлягає "технологія" для "розроблення" або "виробництва" ядер мікропроцесорів, які мають усі наведені нижче характеристики:
1) використовують "технології" на рівні 0,13 мкм або вище; та
2) містять багатошарові структури з п'ятьма або більше шарами металу.
3. Згідно з позицією 3.E.2 контролю також підлягають "технології" для процесорів цифрових сигналів та матричних процесорів. 

3.E.3.
[3E003] 

Інші "технології" для "розроблення" або "виробництва": 

з 3705,
3706,8524,
4901 99 00 00,
4906 00 00 00 

a) вакуумних мікроелектронних приладів; 

b) напівпровідникових приладів на гетероструктурах таких, як транзистори з високою рухливістю електронів (HEMT), біполярні транзистори на гетероструктурі (HBT), приладів з квантовими ямами та приладів на надрешітках. 

Примітка. 

Згідно з позицією 3.E.3.b контролю не підлягає технологія для транзисторів з високою рухливістю електронів (HEMT), які працюють на частотах нижчих ніж 31,8 ГГц, та біполярних транзисторів на гетероструктурі (HBT), які працюють на частотах нижчих ніж 31,8 ГГц.  

c) "надпровідних" електронних приладів; 

d) підкладок з плівок алмазу для електронних "компонентів"; 

e) підкладок, що мають структуру типу "кремній-на-діелектрику" (SOI) для інтегральних схем, у яких ізолятором є двоокис кремію; 

f) кремній-вуглецевих підкладок для "компонентів" електронних схем; 

g) електронних вакуумних ламп, які працюють на частоті 31,8 ГГц або вище.  

3.E.4. 

"Послуги та роботи" (відповідно до особливої примітки щодо послуг та робіт) стосовно товарів подвійного використання, зазначених у позиціях 3.A, 3.B, 3.C, 3.D або 3.E. 

Номер позиції 

Найменування та опис товарів за відповідними групами 

Код товару згідно з УКТЗЕД 

4. 

КОМП'ЮТЕРИ 

Примітки. 

1. Комп'ютери, "супутнє обладнання" та "програмне забезпечення", що використовуються в мережах зв'язку або в "локальних мережах", підлягають контролю з урахуванням критеріїв, зазначених у частині 1 розділу 5 (Зв'язок).
2. Блоки управління, які безпосередньо з'єднують між собою шини або канали центральних процесорів, "оперативну пам'ять" або контролери накопичувачів на дисках, не розглядаються як телекомунікаційне обладнання, описане в частині 1 розділу 5 (Зв'язок).  

Особлива примітка. 

Щодо контрольного статусу "програмного забезпечення", спеціально призначеного для комутації пакетів, див. позицію 5.D.1 частини 1 розділу 5 (Зв'язок).
3. Комп'ютери, "супутнє обладнання" та "програмне забезпечення", що виконують функції криптографії, криптоаналізу, забезпечення сертифікованого або "багаторівневого захисту", що підлягає сертифікації або ізолювання користувача, або такі, що обмежують електромагнітну сумісність (EMC), підлягають контролю з урахуванням критеріїв, зазначених у частині 2 розділу 5 (Захист інформації).  

4.A. 

СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ ТА КОМПОНЕНТИ 

4.A.1.
[4A001] 

Електронні комп'ютери і "супутнє обладнання", наведені нижче, та "електронні збірки" і спеціально призначені компоненти": 

з 8471 

a) спеціально призначені і мають будь-яку з наведених нижче характеристик:  

1) розраховані для функціонування при температурі навколишнього середовища нижче 228 K (-45° C) або понад 358 K (+85° C).  

Примітка. 

Контролю за позицією 4.A.1.a.1 не підлягають комп'ютери, спеціально призначені для використання в цивільних автомобілях або залізничних поїздах. 

2) стійкі до радіації з параметрами вищими, ніж будь-який з наведених нижче:  

a) загальна доза 5 х 10³ рад (Si);  

b) доза випромінювання, що викликає збій 5 х 10⁶ рад (Si)/с; або  

c) одиничний збій 1 х 10^-7 похибка/біт/ день;  

b)** мають характеристики або виконують функції, які перевищують межі, зазначені у частині 2 розділу 5 (Захист інформації).  

____________
** Товар, для одержання дозволу (висновку) Держекспортконтролю на експорт (тимчасове вивезення) якого експортерами разом із заявою до Держекспортконтролю подається погодження Адміністрації Держспецзв’язку. 

Примітка. 

Згідно з позицією 4.A.1.b контролю не підлягають електронні комп'ютери та пов'язане з ними обладнання, якщо вони перевозяться у супроводі їх користувача для використання ним особисто. 

4.A.2.
[4A002] 

Виключено 

4.A.3.
[4A003] 

"Цифрові комп'ютери", "електронні збірки" і "супутнє обладнання" до них, наведені нижче, та "спеціально призначені компоненти" для них: 

8471 10 10 00 

Примітки. 

1. Позиція 4.A.3 включає таке:
a) векторні процесори;
b) матричні процесори;
c) процесори цифрових сигналів;
d) логічні процесори;
e) обладнання для "поліпшення якості зображення";
f) обладнання для "оброблення сигналу".
2. Контрольний статус "цифрових комп'ютерів" та супутнього обладнання до них, описаних у позиції 4.A.3, визначається контрольним статусом інших систем або обладнання, якщо:
a) "цифрові комп'ютери" або "супутнє обладнання" до них мають істотне значення для роботи іншого обладнання або систем;
b) "цифрові комп'ютери" або "супутнє обладнання" до них, яке не є "основним елементом" інших систем чи обладнання; та  

Особливі примітки. 

1. Статус контролю за обладнанням, спеціально призначеним для "оброблення сигналу" або "поліпшення якості зображення", або для іншого обладнання з функціями, обмеженими функціональним призначенням іншого обладнання, визначається статусом контролю іншого обладнання, навіть якщо воно перевищує критерій "основного елемента";
2. Статус контролю "цифрових комп'ютерів" або супутнього обладнання для телекомунікаційних систем визначається з урахуванням критеріїв, зазначених у частині 1 розділу 5 (Зв'язок);
c) "технологія" для "цифрових комп'ютерів" та супутнього обладнання, що належить до них, регулюється позицією 4.E.  

a) призначені або модифіковані для забезпечення "відмовостійкості".  

з 8471 30,
8471 41 10 00 

Примітка. 

"Цифрові комп'ютери" та "супутнє обладнання" до них, наведені у позиції 4.A.3.a, не вважаються призначеними або модифікованими для забезпечення "відмовостійкості", якщо в них використовується будь-що з наведеного нижче:
1) алгоритми виявлення або виправлення помилок, які зберігаються в "оперативній пам'яті";
2) взаємозв'язок двох "цифрових комп'ютерів" такий, що у разі відмови активного центрального процесора очікувальний процесор (який одночасно стежить за діями центрального процесора) може забезпечити продовження функціонування системи;
3) взаємозв'язок двох центральних процесорів через канали передачі даних або з використанням пам'яті загального призначення такий, що забезпечує можливість одному центральному процесору виконувати іншу роботу, поки другий центральний процесор не відмовить, тоді перший центральний процесор бере його роботу на себе, щоб продовжити функціонування системи; або
4) синхронізація двох центральних процесорів, виконана через "програмне забезпечення" таким чином, що перший центральний процесор розпізнає, коли відмовляє другий центральний процесор, і бере на себе виконання його завдання;  

b) "налаштовану максимальну продуктивність" ("Adjusted Peak Performance" ("APP") понад 0,75 зваженого терафлопсу (WT);  

з 8471 30,
8471 41 10 00 

c) "електронні збірки", спеціально призначені або модифіковані для підвищення продуктивності шляхом агрегування процесорів, у результаті якого "налаштована максимальна продуктивність" перевищує межу, зазначену в позиції 4.A.3.b.  

з 8471 30 

Примітки. 

1. Відповідно до позиції 4.A.3.c контролю підлягають лише "електронні збірки" та програмовані взаємозв'язки, які не перевищують межу, зазначену у позиції 4.A.3.b, у разі постачання їх у вигляді необ'єднаних "електронних збірок". Контролю не підлягають "електронні збірки", які за своєю конструкцією придатні тільки для використання як "супутнє обладнання", яке підлягає контролю згідно з позицією 4.A.3.e.
2. Відповідно до позиції 4.A.3.c контролю не підлягають "електронні збірки", спеціально призначені для виробу або цілого ряду виробів, які у своїй максимальній конфігурації не перевищують межу, зазначену в позиції 4.A.3.b.  

d) виключено;  

e) обладнання, що здійснює аналого-цифрові перетворення, які перевищують межі, зазначені в позиції 3.A.1.a.5;  

з 8542 

f) виключено;  

g) обладнання, спеціально призначене для забезпечення зовнішнього міжсистемного зв'язку "цифрових комп'ютерів" або супутнього обладнання, що дає змогу здійснити зв'язок із швидкістю передачі даних понад 1,25 Гбайт/с.  

8525 20 91 00,
8525 20 99 00,
8543 85 95 00 

Примітка. 

Згідно з позицією 4.A.3.g контролю не підлягає обладнання внутрішнього з'єднання (наприклад, плати, шини тощо), обладнання пасивного з'єднання, "контролери доступу до мережі" або "контролери каналів зв'язку". 

4.A.4.
[4A004] 

Комп'ютери і спеціально призначене "супутнє обладнання" до них, "електронні збірки" та "компоненти" для них: 

з 8471 

a) "комп'ютери із систолічною матрицею"; 

b) "нейронні комп'ютери"; 

c) "оптичні комп'ютери". 

4.B. 

ОБЛАДНАННЯ ДЛЯ ВИПРОБУВАННЯ, КОНТРОЛЮ І ВИРОБНИЦТВА
Відсутнє 

4.C. 

МАТЕРІАЛИ
Відсутні 

4.D. 

ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ 

Примітка. 

Статус контролю "програмного забезпечення" для "розроблення", "виробництва" або "використання" обладнання, описаного в інших розділах, визначається відповідним розділом. Статус контролю "програмного забезпечення" для обладнання, описаного в цьому розділі, пов'язаний з наведеним нижче. 

4.D.1.
[4D001] 

"Програмне забезпечення":  

a) "програмне забезпечення", спеціально призначене або модифіковане для "розроблення", "виробництва" чи "використання" обладнання або "програмного забезпечення", зазначеного в позиціях 4.A чи 4.D;  

з 8524 

b) "програмне забезпечення", інше, ніж те, що підлягає контролю згідно з позицією 4.D.1.a, спеціально призначене або модифіковане для "розроблення" або "виробництва":  

з 8524
з 8471 70 

1) "цифрових комп'ютерів", які мають "налаштовану максимальну продуктивність" ("НМП") понад 0,1 зважених терафлопсів (WT);  

2) "електронних збірок", спеціально призначених або модифікованих для підвищення продуктивності шляхом агрегування процесорів, у результаті якого "НМП" агрегації перевищує межу, зазначену в позиції 4.D.1.b.1.  

4.D.2.
[4D002] 

"Програмне забезпечення", спеціально призначене або модифіковане для підтримки "технології", зазначеної в позиції 4.E. 

з 8524 

4.D.3.
[4D003] 

"Програмне забезпечення", яке має характеристики або виконує функції, які перевищують межі, установлені в частині 2 розділу 5 (Захист інформації). 

з 8524 

Примітка. 

Згідно з позицією 4.D.3 контролю не підлягає "програмне забезпечення", якщо воно перевозиться у супроводі його користувача для використання ним особисто. 

4.E. 

ТЕХНОЛОГІЯ, ПОСЛУГИ ТА РОБОТИ 

4.E.1.
[4E001] 

"Технологія": 

a) "технологія" відповідно до пункту 1 особливих приміток для "розроблення", "виробництва" або "використання" обладнання чи "програмного забезпечення", що підлягають контролю згідно з позиціями 4.A або 4.D.  

з 3705, 3706,
з 8524,
4901 99 00 00,
4906 00 00 00 

Примітка. 

Код технології згідно з УКТЗЕД визначається кодом носія, на якому вона передається. 

b) "технологія", інша, ніж та, що підлягає контролю згідно з позицією 4.E.1.a, спеціально призначена або модифікована для "розроблення" або "виробництва":  

1) "цифрових комп'ютерів", які мають "НМП" понад 0,1 зваженого терафлопсу (WT); або  

2) "електронних збірок", спеціально призначених або модифікованих для підвищення продуктивності шляхом агрегування процесорів, у результаті якого "НМП" агрегації перевищує межу, зазначену в позиції 4.E.1.b.1.  

4.E.2. 

"Послуги та роботи" (відповідно до особливої примітки щодо послуг та робіт) стосовно товарів подвійного використання, зазначених у позиціях 4.A, 4.D або 4.E. 

Номер позиції 

Найменування та опис товарів за відповідними групами 

Код товару згідно з
УКТЗЕД 

5. 

Частина 1. ЗВ'ЯЗОК 

Примітки. 

1. У цьому розділі визначається контрольний статус "компонентів", "лазерів", випробувального та "виробничого" обладнання, "програмного забезпечення", спеціально призначених для використання в системах та обладнанні зв'язку.
2. "Цифрові комп'ютери", "супутнє обладнання" до нього або "програмне забезпечення", яке є суттєвим для використання і підтримки засобів зв'язку, зазначених у цьому розділі, розглядаються як "спеціально призначені компоненти" за умови, що вони є стандартними моделями, які зазвичай постачаються виробником. Це включає розроблення, адміністрування, технічне обслуговування, проектування або рекламу комп'ютерних засобів або систем. 

5.A.
Частина 1. 

СИСТЕМИ, ОБЛАДНАННЯ І КОМПОНЕНТИ 

5.A.1.
[5A001] 

Системи зв'язку, обладнання, компоненти та аксесуари: 

a) обладнання зв'язку будь-якого типу, що має будь-яку з наведених нижче характеристик, властивостей або функцій:
1) спеціально призначене для захисту від тимчасового електронного ефекту або електромагнітного імпульсу, що виникають під час ядерного вибуху;
2) спеціально розроблене з підвищеною стійкістю до гамма-, нейтронного або іонного випромінювання; або 

з 8517,
з 8525,
з 8527,
з 8543, 

3) спеціально призначені для функціонування за межами інтервалу температур від 218 K (-55° C) до 397 K (+124° C); 

Примітки. 

1. Згідно з позицією 5.A.1.a.3 підлягає контролю лише електронне обладнання.
2. Згідно з позиціями 5.A.1.a.2 та 5.A.1.a.3 контролю не підлягає обладнання, призначене або модифіковане для використання на супутниках зв'язку. 

b) системи та обладнання зв'язку і спеціально призначені для них "компоненти" та аксесуари, що мають будь-яку з наведених нижче характеристик, функцій або особливостей: 

з 8517,
з 8525,
з 8527,
з 8543, 

1) системи підводного зв'язку, які мають будь-яку з наведених нижче характеристик:
a) акустична несуча частота перебуває за межами діапазону від 20 кГц до 60 кГц; 

8518 50 90 00 

b) з використанням електромагнітної несучої частоти менше ніж 30 кГц; або 

8525 20 91 00,
8525 20 99 00 

c) з використанням пристроїв керування електронним випромінюванням; 

8525 20 91 00,
8525 20 99 00 

d) з використанням у "локальній мережі" "лазерів" або світловипромінюючих діодів (СВД), що мають вихідну довжину хвилі більше 400 нм і менше 700 нм; 

2) радіоапаратура, яка функціонує в діапазоні частот від 1,5 МГц до 87,5 МГц і має всі наведені нижче характеристики:
a) автоматичне прогнозування та вибір значення частоти, а також "загальної швидкості цифрової передачі" на канал для її оптимізації; та 

8525 20 91 00,
8525 20 99 00,
з 8543 89,
8470 10 90 00 

b) наявність лінійного підсилювача потужності, здатного одночасно підтримувати множину сигналів з вихідною потужністю 1 кВт або більше в частотному діапазоні від 1,5 МГц до 30 МГц, або 250 Вт, або більше в частотному діапазоні від 30 МГц до 87,5 МГц, при "миттєвій ширині смуги частот" одна октава або більше та із вмістом гармонік та спотворювань на виході краще ніж - 80 дБ; 

8525 10 90 00,
8525 20 91 00,
8525 20 99 00 

3) радіоапаратура, яка використовує методи "розширення спектра" або методи "стрибкоподібного переналагодження частоти", інша, ніж зазначена в позиції 5.A.1.b.4, і має будь-яку з наведених нижче характеристик: 

a) наявність кодів розширення, що мають можливість програмування користувачем; або 

8525 20 91 00,
8525 20 99 00 

b) загальна ширина смуги частот передачі, яка в 100 і більше разів перевищує смугу частот одного інформаційного каналу і становить понад 50 кГц. 

8525 20 91 00,
8525 20 99 00 

Примітки. 

1. Згідно з позицією 5.A.1.b.3.b контролю не підлягає радіообладнання, спеціально призначене для цивільних стільникових систем радіозв'язку.
2. Згідно з позицією 5.A.1.b.3 контролю не підлягає обладнання, призначене для експлуатації при вихідній потужності 1 Вт або менше; 

4) радіообладнання, в якому використовується метод надширокосмугової модуляції з кодами ущільнення каналів, скремблірування або кодами ідентифікації мереж з можливістю програмування користувачем, яке має будь-яку з наведених нижче характеристик: 

з 8525,
з 8527 

a) ширину смуги частот понад 500 МГц; або 

b) "відносну ширину смуги частот" 20 % або більше; 

5) радіоприймачі з цифровим керуванням, які мають усі наведені нижче характеристики:
a) кількість каналів понад 1000;
b) мають "час перемикання частоти" менше ніж 1 мс;
c) здійснюють автоматичний пошук або сканують частину електромагнітного спектра;
d) ідентифікують прийнятий сигнал або тип передавача; або 

з 8527 

Примітка. 

Згідно з позицією 5.A.1.b.5 контролю не підлягає радіообладнання, спеціально призначене для використання разом із цивільними стільниковими системами радіозв'язку. 

6) виконують функції цифрового "оброблення сигналів", які забезпечують цифрове кодування мови із швидкістю менше ніж 2400 біт/с. 

8525 20 91 00,
8525 20 99 00,
з 8543 89 

Технічні примітки. 

1. Для кодування мови із змінною швидкістю позиція 5.A.1.b.6 застосовується до виведення даних кодування мови, що відповідають зв'язній мові.
2. Для цілей позиції 5.A.1.b.6. термін "кодування мови" визначає методи, під час використання яких відбираються зразки людської мови, які потім перетворюються на цифровий сигнал з урахуванням її специфічних характеристик. 

c) волоконно-оптичні кабелі зв'язку, оптичні волокна і "спеціально призначені компоненти" для них та допоміжне обладнання, наведене нижче: 

8544 70 00 10,
8544 70 00 90,
9001 10 10 00,
9001 10 90,
9001 90 90 00 

1) оптичні волокна завдовжки понад 500 м, що мають міцність на розрив 2 х 10⁹ Н/м² або більше, яка гарантована виробником; 

Технічна примітка. 

Контрольні випробування: перевірка на стадіях виготовлення або після виготовлення полягає у прикладанні заданої напруги до волокна завдовжки від 0,5 до 3 м на швидкості ходу від 2 до 5 м/с під час проходження волокон між провідними валами приблизно 150 мм у діаметрі. При цьому зовнішня навколишня температура становить 293 К (20° C), відносна вологість - 40 %.
Для виконання контрольних випробувань можуть застосовуватися еквівалентні національні стандарти. 

2) волоконно-оптичні кабелі та допоміжне обладнання, призначені для використання під водою. 

Примітка. 

Згідно з позицією 5.A.1.c.2 контролю не підлягають стандартні телекомунікаційні кабелі та аксесуари для цивільного зв'язку. 

Особливі примітки. 

1. Для підводних складених кабелів, а також з'єднувачів до них див. позицію 8.A.2.a.3.
2. Для волоконно-оптичних корпусних роз'ємів і з'єднувачів див. позицію 8.A.2.c.